STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 12 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, STripFET II

Antal (1 rulle med 2500 enheter)*

14 047,50 kr

(exkl. moms)

17 560,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 26 juni 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
2500 +5,619 kr14 047,50 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
151-906
Tillv. art.nr:
STD12NF06LT4
Tillverkare / varumärke:
STMicroelectronics
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

STMicroelectronics

Kanaltyp

Typ N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

12A

Maximal källspänning för dränering Vds

60V

Serie

STripFET II

Kapseltyp

TO-252

Fästetyp

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

90mΩ

Kanalläge

Förbättring

Maximal spänning för grindkälla Vgs

±16 V

Framåtriktad spänning Vf

1.5V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

7.5nC

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal arbetstemperatur

175°C

Bredd

6.6 mm

Standarder/godkännanden

RoHS

Längd

10.1mm

Höjd

2.4mm

Fordonsstandard

Nej

COO (ursprungsland):
CN
The STMicroelectronics Power MOSFET, It is specifically designed to minimize input capacitance and gate charge. This renders the device suitable for use as primary switch in advanced high-efficiency isolated DC-DC converters for telecom and computer applications, and applications with low gate charge driving requirements.

Exceptional dv/dt capability

100% avalanche tested

Low gate charge