STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 12 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, STripFET II
- RS-artikelnummer:
- 151-906
- Tillv. art.nr:
- STD12NF06LT4
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Få en mängdrabatt
Lägg till 5000 till för att spara 1%
Visa alternativ för volympriserAntal (1 rulle med 2500 enheter)*
9 785,00 kr
(exkl. moms)
12 230,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 04 januari 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* | Besparing |
|---|---|---|---|
| 2500 - 2500 | 3,914 kr | 9 785,00 kr | - |
| 5000 + | 3,866 kr | 9 665,00 kr | 1% |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 151-906
- Tillv. art.nr:
- STD12NF06LT4
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 12A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 60V | |
| Serie | STripFET II | |
| Kapseltyp | TO-252 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 90mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 16V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 7.5nC | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.5V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Bredd | 6.6mm | |
| Höjd | 2.4mm | |
| Längd | 10.1mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 12A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 60V | ||
Serie STripFET II | ||
Kapseltyp TO-252 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 90mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 16V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 7.5nC | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.5V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Bredd 6.6mm | ||
Höjd 2.4mm | ||
Längd 10.1mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
STMicroelectronics effekt-MOSFET, den är speciellt utformad för att minimera ingångskapacitans och grindladdning. Detta gör enheten lämplig för användning som primäromkopplare i avancerade högeffektiva isolerade DC-DC-omvandlare för telekommunikations- och datortillämpningar och tillämpningar med låga krav på grindladdning.
Exceptionell dv/dt-kapacitet
100 % avalanche-testade
Låg grindladdning
Relaterade länkar
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 12 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, STripFET II
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 60 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, STripFET II
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 25 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, STripFET II
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 35 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, STripFET II
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 17 A 250 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, STripFET II
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 24 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, STripFET
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 23 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, STripFET
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 35 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, STripFET