TE Connectivity DIMM-uttag, 0.6 mm Avstånd, 200-polen, Högervinklad, Styrelsen, DDR2, 1.8V 500mA, 85 °C, -55 °C, DDR2 SO

TE Connectivity minnesuttag erbjuder innovativa anslutningar som är utformade för prestanda i dagens höghastighetstillämpningar. Med sin rätvinkliga modulorientering och robusta design rymmer den en dubbel datahastighet (DDR) för överlägsen hastighet och effektivitet vid dataöverföring. Uttaget har en staplingshöjd på 5,2 mm, vilket säkerställer ett kompakt fotavtryck som är perfekt för miljöer med begränsat utrymme. Den här kontakten är konstruerad för en konfiguration med 200 positioner och ger tillräckligt med utrymme för säkra och tillförlitliga anslutningar, vilket gör den perfekt för DDR2 SO DIMM-tillämpningar. Den genomtänkta designen, med högtemperaturtermoplasthölje och spärrar i rostfritt stål, ökar inte bara hållbarheten utan säkerställer också tillförlitliga prestanda över ett brett arbetstemperaturområde. Detta uttag är perfekt lämpat för moderna elektroniska krav och är en oumbärlig komponent för att optimera minnesmodulernas prestanda och tillförlitlighet för olika applikationer.

Utformad för att passa DDR2-gränssnittsteknik