onsemi, JFET, Typ N Kanal, Switch-N-Kanal borrchuck 20 V Enkel 10 to 40 mA, 3 Ben, SOT-23
- RS-artikelnummer:
- 806-4282
- Tillv. art.nr:
- MMBF5103
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 förpackning med 50 enheter)*
115,25 kr
(exkl. moms)
144,05 kr
(inkl. moms)
Lagerinformation är för närvarande otillgänglig - kom tillbaka senare
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 50 - 450 | 2,305 kr | 115,25 kr |
| 500 - 950 | 1,985 kr | 99,25 kr |
| 1000 + | 1,722 kr | 86,10 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 806-4282
- Tillv. art.nr:
- MMBF5103
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | onsemi | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Undertyp | Switch-N-Kanal | |
| Produkttyp | JFET | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 20V | |
| Konfiguration | Enkel | |
| Fästetyp | Yta | |
| Kapseltyp | SOT-23 | |
| Maximal effektförlust Pd | 350mW | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Drainström från källan Ids | 10 to 40 mA | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | -40 V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Bredd | 1.3 mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 1.04mm | |
| Längd | 2.9mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke onsemi | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Undertyp Switch-N-Kanal | ||
Produkttyp JFET | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 20V | ||
Konfiguration Enkel | ||
Fästetyp Yta | ||
Kapseltyp SOT-23 | ||
Maximal effektförlust Pd 350mW | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Drainström från källan Ids 10 to 40 mA | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs -40 V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Bredd 1.3 mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 1.04mm | ||
Längd 2.9mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
N-kanalig JFET, Fairchild halvledare
JFET-transistorer
Ett sortiment av diskreta halvledarenheter med JFET (Junction Field-Effect Transistor) och HEMT/HFET (High-Electron-Mobility Transistor/ Heterokoppling FET).