onsemi, JFET, Typ N Kanal, N-kanalig omkopplare borrchuck Enkel 2 mA, 3 Ben, SOT-23
- RS-artikelnummer:
- 761-4524P
- Tillv. art.nr:
- MMBFJ113
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Mängdrabatt möjlig
Antal 100 enheter (levereras på en kontinuerlig remsa)*
211,40 kr
(exkl. moms)
264,20 kr
(inkl. moms)
Lagerinformation är för närvarande otillgänglig - kom tillbaka senare
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 100 - 225 | 2,114 kr |
| 250 - 475 | 1,832 kr |
| 500 - 975 | 1,613 kr |
| 1000 + | 1,47 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 761-4524P
- Tillv. art.nr:
- MMBFJ113
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | onsemi | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | JFET | |
| Undertyp | N-kanalig omkopplare | |
| Konfiguration | Enkel | |
| Fästetyp | Yta | |
| Kapseltyp | SOT-23 | |
| Maximal effektförlust Pd | 350mW | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | -35 V | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 100Ω | |
| Antal ben | 3 | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Drainström från källan Ids | 2 mA | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Höjd | 0.93mm | |
| Längd | 2.92mm | |
| Bredd | 1.3 mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke onsemi | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp JFET | ||
Undertyp N-kanalig omkopplare | ||
Konfiguration Enkel | ||
Fästetyp Yta | ||
Kapseltyp SOT-23 | ||
Maximal effektförlust Pd 350mW | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs -35 V | ||
Maximal drain-källresistans Rds 100Ω | ||
Antal ben 3 | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Drainström från källan Ids 2 mA | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Höjd 0.93mm | ||
Längd 2.92mm | ||
Bredd 1.3 mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
N-kanalig JFET, Fairchild halvledare
JFET-transistorer
Ett sortiment av diskreta halvledarenheter med JFET (Junction Field-Effect Transistor) och HEMT/HFET (High-Electron-Mobility Transistor/ Heterokoppling FET).