Toshiba 2SK209-Y(TE85L,F) N-Channel JFET, 10 V, Idss 1.2 to 3.0mA, 3-Pin SOT-346 (SC-59)
- RS-artikelnummer:
- 760-3126P
- Tillv. art.nr:
- 2SK209-Y(TE85L,F)
- Tillverkare / varumärke:
- Toshiba
Antal 10 enheter (levereras på en kontinuerlig remsa)*
30,78 kr
(exkl. moms)
38,48 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
I lager
- 2 600 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 10 + | 3,078 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 760-3126P
- Tillv. art.nr:
- 2SK209-Y(TE85L,F)
- Tillverkare / varumärke:
- Toshiba
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Brand | Toshiba | |
| Channel Type | N | |
| Idss Drain-Source Cut-off Current | 1.2 to 3.0mA | |
| Maximum Drain Source Voltage | 10 V | |
| Maximum Gate Source Voltage | -30 V | |
| Maximum Drain Gate Voltage | -50V | |
| Configuration | Single | |
| Transistor Configuration | Single | |
| Mounting Type | Surface Mount | |
| Package Type | SOT-346 (SC-59) | |
| Pin Count | 3 | |
| Dimensions | 2.9 x 1.5 x 1.1mm | |
| Length | 2.9mm | |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C | |
| Maximum Operating Temperature | +125 °C | |
| Width | 1.5mm | |
| Height | 1.1mm | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Brand Toshiba | ||
Channel Type N | ||
Idss Drain-Source Cut-off Current 1.2 to 3.0mA | ||
Maximum Drain Source Voltage 10 V | ||
Maximum Gate Source Voltage -30 V | ||
Maximum Drain Gate Voltage -50V | ||
Configuration Single | ||
Transistor Configuration Single | ||
Mounting Type Surface Mount | ||
Package Type SOT-346 (SC-59) | ||
Pin Count 3 | ||
Dimensions 2.9 x 1.5 x 1.1mm | ||
Length 2.9mm | ||
Minimum Operating Temperature -55 °C | ||
Maximum Operating Temperature +125 °C | ||
Width 1.5mm | ||
Height 1.1mm | ||
N-channel JFET, Toshiba
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
relaterade länkar
- Toshiba 2SK209-Y(TE85L 10 V 3-Pin SOT-346 (SC-59)
- Toshiba 2SK208-R(TE85L 10 V 3-Pin SOT-346 (SC-59)
- Toshiba 2SK209-GR(TE85L Idss 14mA, 3-Pin S-MINI
- Toshiba 2SK2145-BL(TE85L Idss 14mA, 5-Pin SMV
- Toshiba 2SC3138-Y(TE85L 50 mA 3-Pin SC-59
- Toshiba 2SC2859-Y(TE85L 500 mA 3-Pin SC-59
- Toshiba 2SA1163-GR(TE85L -100 mA 3-Pin SOT-346
- Toshiba 2SC3326-A(TE85L 300 mA 3-Pin SOT-346
