onsemi, JFET, Typ N Kanal, JFET borrchuck Enkel 5 mA, 3 Ben, TO-92
- RS-artikelnummer:
- 124-1385
- Tillv. art.nr:
- J112
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 påse med 1000 enheter)*
1 647,00 kr
(exkl. moms)
2 059,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
I lager
- 8 000 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per påse* |
|---|---|---|
| 1000 - 2000 | 1,647 kr | 1 647,00 kr |
| 3000 + | 1,39 kr | 1 390,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 124-1385
- Tillv. art.nr:
- J112
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | onsemi | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | JFET | |
| Undertyp | JFET | |
| Konfiguration | Enkel | |
| Fästetyp | Genomgående hål | |
| Kapseltyp | TO-92 | |
| Drainström från källan Ids | 5 mA | |
| Maximal effektförlust Pd | 350mW | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 50Ω | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | -35 V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Längd | 5.2mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Bredd | 4.19 mm | |
| Höjd | 5.33mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke onsemi | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp JFET | ||
Undertyp JFET | ||
Konfiguration Enkel | ||
Fästetyp Genomgående hål | ||
Kapseltyp TO-92 | ||
Drainström från källan Ids 5 mA | ||
Maximal effektförlust Pd 350mW | ||
Maximal drain-källresistans Rds 50Ω | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs -35 V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Längd 5.2mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Bredd 4.19 mm | ||
Höjd 5.33mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
N-kanalig JFET, Fairchild halvledare
JFET-transistorer
Ett sortiment av diskreta halvledarenheter med JFET (Junction Field-Effect Transistor) och HEMT/HFET (High-Electron-Mobility Transistor/ Heterokoppling FET).