IXYS, Hög hastighet, IGBT, Typ N Kanal, 40 A 1200 V 50 kHz, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål
- RS-artikelnummer:
- 808-0275P
- Tillv. art.nr:
- IXYH40N120C3
- Tillverkare / varumärke:
- IXYS
Mängdrabatt möjlig
Antal 5 enheter (levereras i ett rör)*
620,50 kr
(exkl. moms)
775,60 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 86 enhet(er) från den 23 februari 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 5 - 9 | 124,10 kr |
| 10 - 29 | 117,60 kr |
| 30 - 89 | 106,85 kr |
| 90 + | 98,11 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 808-0275P
- Tillv. art.nr:
- IXYH40N120C3
- Tillverkare / varumärke:
- IXYS
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | IXYS | |
| Maximal kontinuerlig kollektorström Ic | 40A | |
| Produkttyp | Hög hastighet, IGBT | |
| Maximal kollektor-emitterspänning Vceo | 1200V | |
| Maximal effektförlust Pd | 577W | |
| Kapseltyp | TO-247 | |
| Fästetyp | Genomgående hål | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Antal ben | 3 | |
| Switchhastighet | 50kHz | |
| Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT | 4V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal spänning för gate-emitter VGEO | ±20 V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Serie | GenX3TM | |
| Bredd | 16.26 mm | |
| Standarder/godkännanden | International Standard Package | |
| Längd | 20.32mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Energimärkning | 400mJ | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke IXYS | ||
Maximal kontinuerlig kollektorström Ic 40A | ||
Produkttyp Hög hastighet, IGBT | ||
Maximal kollektor-emitterspänning Vceo 1200V | ||
Maximal effektförlust Pd 577W | ||
Kapseltyp TO-247 | ||
Fästetyp Genomgående hål | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Antal ben 3 | ||
Switchhastighet 50kHz | ||
Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT 4V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal spänning för gate-emitter VGEO ±20 V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Serie GenX3TM | ||
Bredd 16.26 mm | ||
Standarder/godkännanden International Standard Package | ||
Längd 20.32mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Energimärkning 400mJ | ||
IGBT-diskreter, IXYS XPT-serien
XPT™-serien av diskreta IGBT:er från IXYS har Extreme-light Punch-Through tunnskiveteknik, vilket resulterar i minskat värmemotstånd och lägre energiförluster. Dessa enheter ger snabba omkopplingstider med låg slutström och finns i en mängd olika industristandardiserade och egenutvecklade kapslingar.
Hög effekttäthet och låg VCE(sat)
Kvadratiska RBSOA (Reverse Bias Safe Operating Areas) upp till nominell genomslagsspänning
Kortslutningsförmåga för 10usec
Temperaturkoefficient för positiv on-state-spänning
Valfria sampackade Sonic-FRD™- eller HiPerFRED™-dioder
Internationella standard- och egenutvecklade högspänningspaket
Diskreta GIGBT-enheter och moduler, IXYS
Isolerad bipolär grindtransistor eller IGBT är en halvledare med tre terminaler, känd för hög effektivitet och snabb omkoppling. IGBT kombinerar de enkla gate-drivningsegenskaperna hos MOSFET:erna med kapaciteten för hög ström och låg mättnadsspänning hos bipolära transistorer genom att kombinera en isolerad gate-FET för styringången och en bipolär effekttransistor som omkopplare i en enda enhet.