STMicroelectronics STGW30NC60WD IGBT, 60 A 600 V, 3-Pin TO-247, Through Hole

Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 2 enheter)*

107,30 kr

(exkl. moms)

134,12 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 04 maj 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
2 - 853,65 kr107,30 kr
10 - 1851,015 kr102,03 kr
20 - 4845,92 kr91,84 kr
50 - 9841,27 kr82,54 kr
100 +39,20 kr78,40 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
795-9198
Tillv. art.nr:
STGW30NC60WD
Tillverkare / varumärke:
STMicroelectronics
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

STMicroelectronics

Maximum Continuous Collector Current

60 A

Maximum Collector Emitter Voltage

600 V

Maximum Gate Emitter Voltage

±20V

Maximum Power Dissipation

200 W

Package Type

TO-247

Mounting Type

Through Hole

Channel Type

N

Pin Count

3

Switching Speed

1MHz

Transistor Configuration

Single

Dimensions

15.75 x 5.15 x 20.15mm

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Minimum Operating Temperature

-55 °C

IGBT Discretes, STMicroelectronics



IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics


The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

relaterade länkar