STMicroelectronics STGW60H65DFB IGBT, 80 A 650 V, 3-Pin TO-247, Through Hole
- RS-artikelnummer:
- 792-5802
- Tillv. art.nr:
- STGW60H65DFB
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Det är tyvärr inte möjligt att visa lagerbehållning för närvarande. Uppdatera sidan och försök igen.
Nästa dag-leverans inte möjlig
Lagt till varukorgen
Pris (ex. moms) Varje
58,89 kr
(exkl. moms)
73,61 kr
(inkl. moms)
| Enheter | Per unit |
| 1 - 4 | 58,89 kr |
| 5 - 9 | 56,00 kr |
| 10 - 24 | 50,35 kr |
| 25 - 49 | 45,36 kr |
| 50 + | 42,92 kr |
- RS-artikelnummer:
- 792-5802
- Tillv. art.nr:
- STGW60H65DFB
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
IGBT Discretes, STMicroelectronics
IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Specifikationer
Attribute | Value |
|---|---|
| Maximum Continuous Collector Current | 80 A |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 650 V |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V |
| Maximum Power Dissipation | 375 W |
| Package Type | TO-247 |
| Mounting Type | Through Hole |
| Channel Type | N |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Configuration | Single |
| Dimensions | 15.75 x 5.15 x 20.15mm |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |