STMicroelectronics STGW20NC60VD IGBT, 60 A 600 V, 3-Pin TO-247, Through Hole

Se alla IGBTs
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 enhet)*

43,90 kr

(exkl. moms)

54,88 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 104 enhet(er) är redo att levereras
  • Plus 43 enhet(er) är redo att levereras från en annan plats
  • Dessutom levereras 372 enhet(er) från den 09 januari 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
1 - 943,90 kr
10 - 9940,99 kr
100 - 49939,76 kr
500 - 99938,86 kr
1000 +37,86 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
686-8354
Tillv. art.nr:
STGW20NC60VD
Tillverkare / varumärke:
STMicroelectronics
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

STMicroelectronics

Maximum Continuous Collector Current

60 A

Maximum Collector Emitter Voltage

600 V

Maximum Gate Emitter Voltage

±20V

Package Type

TO-247

Mounting Type

Through Hole

Channel Type

N

Pin Count

3

Transistor Configuration

Single

Dimensions

15.75 x 5.15 x 20.15mm

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Minimum Operating Temperature

-55 °C

COO (Country of Origin):
CN

IGBT Discretes, STMicroelectronics



IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics


The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

relaterade länkar