STMicroelectronics STGW60V60DF IGBT, 60 A 600 V, 3-Pin TO-247, Through Hole

Se alla IGBTs
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 5 enheter)*

234,53 kr

(exkl. moms)

293,16 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 25 enhet(er) är redo att levereras
  • Dessutom levereras 110 enhet(er) från den 06 januari 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
5 - 546,906 kr234,53 kr
10 - 2044,576 kr222,88 kr
25 - 4540,14 kr200,70 kr
50 +39,894 kr199,47 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
791-7643
Tillv. art.nr:
STGW60V60DF
Tillverkare / varumärke:
STMicroelectronics
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

STMicroelectronics

Maximum Continuous Collector Current

60 A

Maximum Collector Emitter Voltage

600 V

Maximum Gate Emitter Voltage

±20V

Maximum Power Dissipation

375 W

Package Type

TO-247

Mounting Type

Through Hole

Channel Type

N

Pin Count

3

Switching Speed

1MHz

Transistor Configuration

Single

Dimensions

15.75 x 5.15 x 20.15mm

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Minimum Operating Temperature

-55 °C

IGBT Discretes, STMicroelectronics



IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics


The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

relaterade länkar