Semikron Danfoss, IGBT-modul, Typ N Kanal, 470 A 1200 V, 7 Ben, SEMITRANS Panel 2

Se alla IGBT:er
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 enhet)*

4 000,57 kr

(exkl. moms)

5 000,71 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 9 enhet(er) från den 02 mars 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
1 - 14 000,57 kr
2 - 43 800,50 kr
5 - 93 612,45 kr
10 - 193 432,58 kr
20 +3 264,46 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
468-2527
Distrelec artikelnummer:
171-00-315
Tillv. art.nr:
SKM400GB126D
Tillverkare / varumärke:
Semikron Danfoss
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Semikron Danfoss

Maximal kontinuerlig kollektorström Ic

470A

Produkttyp

IGBT-modul

Maximal kollektor-emitterspänning Vceo

1200V

Antal transistorer

2

Kapseltyp

SEMITRANS

Fästetyp

Panel

Kanaltyp

Typ N

Antal ben

7

Minsta arbetsstemperatur

150°C

Maximal spänning för gate-emitter VGEO

20 V

Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT

2.1V

Maximal arbetstemperatur

-40°C

Serie

SKM400GB126D

Standarder/godkännanden

No

Längd

106.4mm

Höjd

30.5mm

Bredd

61.4 mm

Fordonsstandard

Nej

Dubbla IGBT-moduler


En serie SEMITOP® IGBT-moduler från Semikron som innehåller två seriekopplade (halvbrygga) IGBT-enheter. Modulerna finns i ett stort antal spännings- och strömklasser och är lämpliga för en mängd olika applikationer med kraftomkoppling, t.ex. frekvensomriktare och avbrottsfria nätaggregat.

Kompakt SEMITOP®-förpackning

Lämplig för omkopplingsfrekvenser upp till 12 kHz

Isolerad kopparbasplatta med Direct Bonded Copper-teknik

IGBBT-moduler, Semikron


Isolerad bipolär grindtransistor eller IGBT är en halvledare med tre terminaler, känd för hög effektivitet och snabb omkoppling. IGBT kombinerar de enkla gate-drivningsegenskaperna hos MOSFET:erna med kapaciteten för hög ström och låg mättnadsspänning hos bipolära transistorer genom att kombinera en isolerad gate-FET för styringången och en bipolär effekttransistor som omkopplare i en enda enhet.

Relaterade länkar