Semikron Danfoss, IGBT-modul, Typ N Kanal, 200 A 1200 V, 3 Ben, SEMITRANS Panel 2

Se alla IGBT:er
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 enhet)*

4 084,67 kr

(exkl. moms)

5 105,84 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Beställningar under 500,00 kr (exkl. moms) kostar 119,00 kr.
I lager
  • 65 enhet(er) är redo att levereras
  • Dessutom levereras 1 enhet(er) från den 03 mars 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
1 - 14 084,67 kr
2 - 43 880,58 kr
5 - 93 745,50 kr
10 - 193 606,74 kr
20 +3 427,20 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
468-2454
Tillv. art.nr:
SKM200GB125D
Tillverkare / varumärke:
Semikron Danfoss
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Semikron Danfoss

Produkttyp

IGBT-modul

Maximal kontinuerlig kollektorström Ic

200A

Maximal kollektor-emitterspänning Vceo

1200V

Antal transistorer

2

Kapseltyp

SEMITRANS

Fästetyp

Panel

Kanaltyp

Typ N

Antal ben

3

Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT

3.85V

Minsta arbetsstemperatur

150°C

Maximal spänning för gate-emitter VGEO

20 V

Maximal arbetstemperatur

-40°C

Längd

106.4mm

Standarder/godkännanden

No

Serie

SKM200GB125D

Bredd

61.4 mm

Höjd

30.5mm

Fordonsstandard

Nej

Dubbla IGBT-moduler


En serie SEMITOP® IGBT-moduler från Semikron som innehåller två seriekopplade (halvbrygga) IGBT-enheter. Modulerna finns i ett stort antal spännings- och strömklasser och är lämpliga för en mängd olika applikationer med kraftomkoppling, t.ex. frekvensomriktare och avbrottsfria nätaggregat.

Kompakt SEMITOP®-förpackning

Lämplig för omkopplingsfrekvenser upp till 12 kHz

Isolerad kopparbasplatta med Direct Bonded Copper-teknik

IGBBT-moduler, Semikron


Isolerad bipolär grindtransistor eller IGBT är en halvledare med tre terminaler, känd för hög effektivitet och snabb omkoppling. IGBT kombinerar de enkla gate-drivningsegenskaperna hos MOSFET:erna med kapaciteten för hög ström och låg mättnadsspänning hos bipolära transistorer genom att kombinera en isolerad gate-FET för styringången och en bipolär effekttransistor som omkopplare i en enda enhet.

Relaterade länkar

Recently viewed