Infineon FF50R12RT4HOSA1 Dual IGBT, 50 A 1200 V AG-34MM, Chassis Mount

Se alla IGBTs
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 enhet)*

1 070,77 kr

(exkl. moms)

1 338,46 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 22 november 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
1 - 41 070,77 kr
5 - 91 030,96 kr
10 - 49991,09 kr
50 +971,38 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
260-8888
Tillv. art.nr:
FF50R12RT4HOSA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Infineon

Maximum Continuous Collector Current

50 A

Maximum Collector Emitter Voltage

1200 V

Maximum Gate Emitter Voltage

±20V

Number of Transistors

2

Maximum Power Dissipation

285 W

Configuration

Dual

Package Type

AG-34MM

Mounting Type

Chassis Mount

The infineon dual IGBT module is 34 mm 1200 V, 50 A fast TRENCHSTOP IGBT4 and emitter controlled 4 diode. VCEsat with positive temperature coefficient, it is flexibility, optimal electrical performance and highest reliability.

Extended operation temperature
Low switching losses
Low VCEsat
Isolated base plate
Standard housing

relaterade länkar