Infineon, IGBT Dubbel, 50 A 1200 V, AG-34MM 2 Chassi

Se alla IGBT:er
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 fack med 10 enheter)*

7 889,28 kr

(exkl. moms)

9 861,60 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 25 januari 2028
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per fack*
10 - 40788,928 kr7 889,28 kr
50 +773,248 kr7 732,48 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
260-8887
Tillv. art.nr:
FF50R12RT4HOSA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

IGBT

Maximal kontinuerlig kollektorström Ic

50A

Maximal kollektor-emitterspänning Vceo

1200V

Maximal effektförlust Pd

285W

Antal transistorer

2

Konfiguration

Dubbel

Kapseltyp

AG-34MM

Fästetyp

Chassi

Minsta arbetsstemperatur

-40°C

Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT

2.25V

Maximal spänning för gate-emitter VGEO

20 V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Standarder/godkännanden

No

Fordonsstandard

Nej

The infineon dual IGBT module is 34 mm 1200 V, 50 A fast TRENCHSTOP IGBT4 and emitter controlled 4 diode. VCEsat with positive temperature coefficient, it is flexibility, optimal electrical performance and highest reliability.

Extended operation temperature

Low switching losses

Low VCEsat

Isolated base plate

Standard housing

Relaterade länkar