Infineon, IGBT-modul, 50 A 650 V, 3 Ben, PG-TO-247
- RS-artikelnummer:
- 259-1533
- Tillv. art.nr:
- IKW50N65F5FKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 förpackning med 2 enheter)*
98,90 kr
(exkl. moms)
123,62 kr
(inkl. moms)
Lägg till 12 enheter för att få fri frakt
I lager
- 36 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | 49,45 kr | 98,90 kr |
| 10 - 18 | 43,57 kr | 87,14 kr |
| 20 - 48 | 41,105 kr | 82,21 kr |
| 50 - 98 | 38,08 kr | 76,16 kr |
| 100 + | 35,17 kr | 70,34 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 259-1533
- Tillv. art.nr:
- IKW50N65F5FKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Maximal kontinuerlig kollektorström Ic | 50A | |
| Produkttyp | IGBT-modul | |
| Maximal kollektor-emitterspänning Vceo | 650V | |
| Maximal effektförlust Pd | 305W | |
| Kapseltyp | PG-TO-247 | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT | 1.6V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -40°C | |
| Maximal spänning för gate-emitter VGEO | ±20 ±30 V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Längd | 41.42mm | |
| Bredd | 16.13 mm | |
| Serie | High Speed Fifth Generation | |
| Standarder/godkännanden | JEDEC, RoHS | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Maximal kontinuerlig kollektorström Ic 50A | ||
Produkttyp IGBT-modul | ||
Maximal kollektor-emitterspänning Vceo 650V | ||
Maximal effektförlust Pd 305W | ||
Kapseltyp PG-TO-247 | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT 1.6V | ||
Minsta arbetsstemperatur -40°C | ||
Maximal spänning för gate-emitter VGEO ±20 ±30 V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Längd 41.42mm | ||
Bredd 16.13 mm | ||
Serie High Speed Fifth Generation | ||
Standarder/godkännanden JEDEC, RoHS | ||
Fordonsstandard Nej | ||
The Infineon high speed hard-switching IGBT is co-packed with RAPID 1 fast and soft anti-parallel diode in a TO-247 package, is defined as "best-in-class" IGBT. It has best-in-class efficiency, resulting in lower junction and case temperature leading to higher device reliability. 50 V increase in the bus voltage possible without compromising reliability.
650 V breakthrough voltage
Compared to best-in-class HighSpeed 3 family
Factor 2.5 lower Qg
Factor 2 reduction in switching losses
200mV reduction in VCEsat
Co-packed with Rapid Si-diode technology
Low COES/EOSS
Mild positive temperature coefficient VCEsa
Relaterade länkar
- Infineon Nej 50 A 650 V PG-TO-247
- Infineon Nej 75 A 650 V, PG-TO-247
- Infineon Nej IKW75N65SS5XKSA1 75 A 650 V, PG-TO-247
- Infineon Nej 40 A 650 V PG-TO-247
- Infineon Nej IGW50N65F5FKSA1 50 A 650 V PG-TO-247
- Infineon Nej IKW50N65RH5XKSA1 50 A 650 V PG-TO-247
- Infineon Nej IKW50N65H5FKSA1 50 A 650 V PG-TO-247
- Infineon Nej IKW40N65RH5XKSA1 40 A 650 V PG-TO-247