Infineon IGP50N60TXKSA1 IGBT Transistor Module, 90 A 600 V PG-TO220-3

Se alla IGBTs

Antal (1 förpackning med 2 enheter)*

72,04 kr

(exkl. moms)

90,04 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 458 enhet(er) från den 30 december 2025
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
2 +36,02 kr72,04 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
259-1525
Tillv. art.nr:
IGP50N60TXKSA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Infineon

Maximum Continuous Collector Current

90 A

Maximum Collector Emitter Voltage

600 V

Maximum Gate Emitter Voltage

±20V

Number of Transistors

3

Maximum Power Dissipation

333 W

Package Type

PG-TO220-3

The Infineon low loss IGBT has easy parallel switching capability due to positive temperature coefficient in Vcesat. It is high ruggedness, temperature stable behaviour. It is very soft, fast recovery anti-parallel emitter controlled diode.

Maximum junction temperature 175°C
Short circuit withstand time 5 micro second
Low EMI
Low gate charge
Very tight parameter distribution

relaterade länkar