Sök efter MPN

Infineon IGP50N60TXKSA1 IGBT Transistor Module, 90 A 600 V PG-TO220-3

RS-artikelnummer:: 259-1524
Tillv. art.nr:: IGP50N60TXKSA1
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Infineon IGP50N60TXKSA1 IGBT Transistor Module, 90 A 600 V PG-TO220-3

Mängdrabatt möjlig

Antal (1 rör med 50 enheter)*

1 529,65 kr

(exkl. moms)

1 912,05 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr

I lager

Dessutom levereras 450 enhet(er) från den 01 januari 2026

Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter	Per enhet	Per Rør*
50 - 50	30,593 kr	1 529,65 kr
100 - 200	29,066 kr	1 453,30 kr
250 +	27,229 kr	1 361,45 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 259-1524
Tillv. art.nr:: IGP50N60TXKSA1
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Brand	Infineon
	Maximum Continuous Collector Current	90 A
	Maximum Collector Emitter Voltage	600 V
	Maximum Gate Emitter Voltage	±20V
	Maximum Power Dissipation	333 W
	Number of Transistors	3
	Package Type	PG-TO220-3

	Välj alla
	Brand Infineon
	Maximum Continuous Collector Current 90 A
	Maximum Collector Emitter Voltage 600 V
	Maximum Gate Emitter Voltage ±20V
	Maximum Power Dissipation 333 W
	Number of Transistors 3
	Package Type PG-TO220-3

Datasheet - IGP50N60TXKSA1

The Infineon low loss IGBT has easy parallel switching capability due to positive temperature coefficient in Vcesat. It is high ruggedness, temperature stable behaviour. It is very soft, fast recovery anti-parallel emitter controlled diode.

Maximum junction temperature 175°C
Short circuit withstand time 5 micro second
Low EMI
Low gate charge
Very tight parameter distribution

Infineon IGP50N60TXKSA1 IGBT Transistor Module, 90 A 600 V PG-TO220-3

GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr

relaterade länkar