Bourns BIDNW30N60H3 Single Diode IGBT, 30 A 600 V TO-247N

Se alla IGBTs

Antal (1 rör med 600 enheter)*

13 935,60 kr

(exkl. moms)

17 419,20 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 1 800 enhet(er) från den 19 januari 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per Rør*
600 +23,226 kr13 935,60 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
253-3501
Tillv. art.nr:
BIDNW30N60H3
Tillverkare / varumärke:
Bourns
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Bourns

Maximum Continuous Collector Current

30 A

Maximum Collector Emitter Voltage

600 V

Maximum Gate Emitter Voltage

±20V

Maximum Power Dissipation

230 W

Number of Transistors

1

Configuration

Single Diode

Package Type

TO-247N

The Bourns IGBT device combines technology from a MOS gate and a bipolar transistor for an optimum component for high voltage and high current applications. This device uses Trench-Gate Field-Stop technology providing greater control of dynamic characteristics with a lower Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)) and fewer switching losses.

600 V, 30 A, Low Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat))
Trench-Gate Field-Stop technology
Low switching loss
Fast switching
RoHS compliant

relaterade länkar