Bourns BIDD05N60T Single Diode IGBT, 5 A 600 V TO-252

Se alla IGBTs

Antal 5 enheter (levereras på en kontinuerlig remsa)*

77,42 kr

(exkl. moms)

96,775 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 2 430 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
5 +15,484 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
253-3500P
Tillv. art.nr:
BIDD05N60T
Tillverkare / varumärke:
Bourns
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Bourns

Maximum Continuous Collector Current

5 A

Maximum Collector Emitter Voltage

600 V

Maximum Gate Emitter Voltage

±30V

Maximum Power Dissipation

82 W

Number of Transistors

1

Package Type

TO-252

Configuration

Single Diode

The Bourns IGBT device combines technology from a MOS gate and a bipolar transistor for an optimum component for high voltage and high current applications. This device uses Trench-Gate Field-Stop technology providing greater control of dynamic characteristics with a lower Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)) and fewer switching losses. In addition, this structure improves the robustness of the device.

600V, 5A, Low VCE(sat)
Trench-Gate Field-Stop technology
Optimized for conduction
Robust
RoHS compliant

relaterade länkar