onsemi NXH80B120MNQ0SNG IGBT Module Q0BOOST - Case 180AJ (Pb-Free and Halide-Free Solder Pins)

Se alla IGBTs

Antal (1 fack med 24 enheter)*

22 412,664 kr

(exkl. moms)

28 015,824 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 28 april 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per Bricka*
24 +933,861 kr22 412,66 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
245-6990
Tillv. art.nr:
NXH80B120MNQ0SNG
Tillverkare / varumärke:
onsemi
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

onsemi

Number of Transistors

2

Maximum Power Dissipation

69 W

Package Type

Q0BOOST - Case 180AJ (Pb-Free and Halide-Free Solder Pins)

Full SiC MOSFET Module | EliteSiC Two Channel Full SiC Boost, 1200 V, 80 mohm SiC MOSFET + 1200 V, 20 A SiC Diode Nickel-plated DBC


The ON Semiconductor Dual Boost Power Module is a power module containing a dual boost stage. The integrated SiC MOSFETs and SiC Diodes provide lower conduction losses and switching losses, enabling designers to achieve high efficiency and superior reliability.

1200 V 80 m SiC MOSFETs
Low Reverse Recovery and Fast Switching SiC Diodes
1600 V Bypass and anti parallel Diodes
Low Inductive Layout Solderable Pins Thermistor
These devices are Pb free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS compliant

relaterade länkar