onsemi NXH350N100H4Q2F2P1G IGBT Module, 303 A 1000 V Q2PACK (Pb-Free/Halide-Free)

RS-artikelnummer:: 245-6973
Tillv. art.nr:: NXH350N100H4Q2F2P1G
Tillverkare / varumärke:: onsemi

onsemi NXH350N100H4Q2F2P1G IGBT Module, 303 A 1000 V Q2PACK (Pb-Free/Halide-Free)

Price Var (i en bricka med 36)**

1 686,988 kr

(exkl. moms)

2 108,735 kr

(inkl. moms)

36 I lager för avsändande samma dag*

* Leveransdatumen kan ändras beroende på vald kvantitet och leveransadress.

FRI frakt på alla onlineordrar över 500,00 kr

Enheter	Per enhet	Per Tray**
36 +	1 686,988 kr	60 731,568 kr

**vägledande pris

RS-artikelnummer:: 245-6973
Tillv. art.nr:: NXH350N100H4Q2F2P1G
Tillverkare / varumärke:: onsemi

Datasheet - NXH350N100H4Q2F2P1G

Attribute	Value
Maximum Continuous Collector Current	303 A
Maximum Collector Emitter Voltage	1000 V
Maximum Gate Emitter Voltage	±20V
Number of Transistors	4
Maximum Power Dissipation	592 W
Package Type	Q2PACK (Pb-Free/Halide-Free)

onsemi NXH350N100H4Q2F2P1G IGBT Module, 303 A 1000 V Q2PACK (Pb-Free/Halide-Free)

FRI frakt på alla onlineordrar över 500,00 kr

Si/SiC Hybrid Module - EliteSiC, I-Type NPC 1000 V, 350 A IGBT, 1200 V, 100 A SiC Diode, Q2 Package Press-fit pins