Infineon FP50R12KE3BOSA1 IGBT Module, 75 A 1200 V

Se alla IGBTs

Antal (1 fack med 10 enheter)*

11 204,11 kr

(exkl. moms)

14 005,14 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • 10 enhet(er) levereras från den 05 augusti 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per Bricka*
10 +1 120,411 kr11 204,11 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
244-5834
Tillv. art.nr:
FP50R12KE3BOSA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Infineon

Maximum Continuous Collector Current

75 A

Maximum Collector Emitter Voltage

1200 V

Maximum Gate Emitter Voltage

±20V

Number of Transistors

7

Maximum Power Dissipation

280 W

The infineon IGBT module the maximum rated collector emitter voltage is 1200 V and toatal power dissipation is 280 W, maximum gate threshold voltage is 6.5 V.

Internal isolation basic insulation (class 1, IEC 61140)
Gate-emitter peak voltage + /- 20 V
Collector-emitter saturation voltage 2.30 V
Gate-emitter leakage current 400 nA

relaterade länkar