Infineon FS150R12KT4B11BOSA1 IGBT Module, 150 A 1200 V

Mängdrabatt möjlig

Antal (1 enhet)*

1 819,69 kr

(exkl. moms)

2 274,61 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • 10 enhet(er) levereras från den 16 mars 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
1 - 11 819,69 kr
2 - 21 783,26 kr
3 +1 604,96 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
244-5408
Tillv. art.nr:
FS150R12KT4B11BOSA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Infineon

Maximum Continuous Collector Current

150 A

Maximum Collector Emitter Voltage

1200 V

Maximum Gate Emitter Voltage

+/-20V

Maximum Power Dissipation

750 W

Number of Transistors

6

The infineon IGBT module the maximum rated repetitive peak collector current is 300 A and collector-emitter saturation voltag 2.10 V, gate threshold voltage is 6.4 V.

Collector-emitter cut-off current 1.0 mA
Temperature under switching conditions 150° C
Gate-emitter leakage current 100 nA
Reverse transfer capacitance 0.35 nF

relaterade länkar