Sök efter MPN

Infineon FS150R12KT3BOSA1 IGBT Module, 200 A 1200 V

RS-artikelnummer:: 244-5404
Tillv. art.nr:: FS150R12KT3BOSA1
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Infineon FS150R12KT3BOSA1 IGBT Module, 200 A 1200 V

Mängdrabatt möjlig

Antal (1 enhet)*

2 331,08 kr

(exkl. moms)

2 913,85 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr

I lager

Dessutom levereras 7 enhet(er) från den 05 januari 2026

Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter	Per enhet
1 - 1	2 331,08 kr
2 - 2	2 284,35 kr
3 +	2 055,98 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 244-5404
Tillv. art.nr:: FS150R12KT3BOSA1
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Brand	Infineon
	Maximum Continuous Collector Current	200 A
	Maximum Collector Emitter Voltage	1200 V
	Maximum Gate Emitter Voltage	+/-20V
	Maximum Power Dissipation	700 W
	Number of Transistors	6

	Välj alla
	Brand Infineon
	Maximum Continuous Collector Current 200 A
	Maximum Collector Emitter Voltage 1200 V
	Maximum Gate Emitter Voltage +/-20V
	Maximum Power Dissipation 700 W
	Number of Transistors 6

Datasheet - FS150R12KT3BOSA1

The infineon IGBT module the maximum rated repetitive peak collector current is 300 A and collector-emitter saturation voltag 2.15 V, gate threshold voltage is 6.5 V.

Collector-emitter cut-off current 5.0 mA
Temperature under switching conditions 125° C
Gate-emitter leakage current 400 nA
Reverse transfer capacitance 0.40 nF

Infineon FS150R12KT3BOSA1 IGBT Module, 200 A 1200 V

GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr

relaterade länkar