Infineon, IGBT-modul Enkel, 1600 A 3300 V, AG-IHVB130 2
- RS-artikelnummer:
- 236-5193
- Tillv. art.nr:
- FZ1600R33HE4BPSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Antal (1 fack med 2 enheter)*
32 680,93 kr
(exkl. moms)
40 851,162 kr
(inkl. moms)
Lagerinformation är för närvarande otillgänglig - kom tillbaka senare
Enheter | Per enhet | Per fack* |
|---|---|---|
| 2 + | 16 340,465 kr | 32 680,93 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 236-5193
- Tillv. art.nr:
- FZ1600R33HE4BPSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Maximal kontinuerlig kollektorström Ic | 1600A | |
| Produkttyp | IGBT-modul | |
| Maximal kollektor-emitterspänning Vceo | 3300V | |
| Maximal effektförlust Pd | 3600kW | |
| Antal transistorer | 2 | |
| Kapseltyp | AG-IHVB130 | |
| Konfiguration | Enkel | |
| Minsta arbetsstemperatur | -40°C | |
| Maximal spänning för gate-emitter VGEO | 20 V | |
| Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT | 3.25V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Längd | 109.9mm | |
| Standarder/godkännanden | IEC 60747, 60749 and 60068 | |
| Höjd | 16.4mm | |
| Bredd | 62 mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Maximal kontinuerlig kollektorström Ic 1600A | ||
Produkttyp IGBT-modul | ||
Maximal kollektor-emitterspänning Vceo 3300V | ||
Maximal effektförlust Pd 3600kW | ||
Antal transistorer 2 | ||
Kapseltyp AG-IHVB130 | ||
Konfiguration Enkel | ||
Minsta arbetsstemperatur -40°C | ||
Maximal spänning för gate-emitter VGEO 20 V | ||
Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT 3.25V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Längd 109.9mm | ||
Standarder/godkännanden IEC 60747, 60749 and 60068 | ||
Höjd 16.4mm | ||
Bredd 62 mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
The Infineon single switch IGBT Module is with TRENCHSTOP™ IGBT4 and Emitter Controlled 4 diode. This module has high power density and AlSiC base plate for increased thermal cycling capability.
VCES is 3300 V
IC nom is 1600 A
ICRM is 3200 A
It retains high current density