Infineon, IGBT, Typ N Kanal, 15 A 1200 V, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål 1

Se alla IGBT:er
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 2 enheter)*

99,23 kr

(exkl. moms)

124,038 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 22 enhet(er) är redo att levereras
  • Dessutom levereras 230 enhet(er) från den 06 mars 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
2 - 849,615 kr99,23 kr
10 - 1841,61 kr83,22 kr
20 - 4839,20 kr78,40 kr
50 - 9836,175 kr72,35 kr
100 +33,71 kr67,42 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
232-6726
Tillv. art.nr:
IKW15N120CS7XKSA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Maximal kontinuerlig kollektorström Ic

15A

Produkttyp

IGBT

Maximal kollektor-emitterspänning Vceo

1200V

Maximal effektförlust Pd

176W

Antal transistorer

1

Kapseltyp

TO-247

Fästetyp

Genomgående hål

Kanaltyp

Typ N

Antal ben

3

Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT

2V

Minsta arbetsstemperatur

-40°C

Maximal spänning för gate-emitter VGEO

20 V

Maximal arbetstemperatur

175°C

Höjd

5.3mm

Längd

21.5mm

Bredd

16.3 mm

Standarder/godkännanden

JEDEC47/20/22

Serie

IKW15N120CS7

Fordonsstandard

Nej

The Infineon's 15 A TRENCHSTOP IGBT7 S7 discrete comes in TO-247 package with EC7 diode inside. It offers low VCEsat to achieve very low conduction losses in target applications and the co-packed very soft and fast emitter controlled diode helps to minimize switching losses contributing to overall low total losses. Potential applications include industrial drives, industrial power supplies and solar inverters.

Good controllability

Full rated free wheeling diode with improved softness

Higher power density without heatsink redesign

Ease to design to meet EMI requirement

Relaterade länkar