Infineon FF900R12ME7B11BOSA1 Dual IGBT, 900 A 1200 V AG-ECONOD

Mängdrabatt möjlig

Antal (1 enhet)*

3 026,58 kr

(exkl. moms)

3 783,22 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 18 november 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
1 - 13 026,58 kr
2 - 22 875,26 kr
3 +2 754,08 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
222-4798
Tillv. art.nr:
FF900R12ME7B11BOSA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Infineon

Maximum Continuous Collector Current

900 A

Maximum Collector Emitter Voltage

1200 V

Maximum Gate Emitter Voltage

20V

Maximum Power Dissipation

20 mW

Package Type

AG-ECONOD

Configuration

Dual

Channel Type

N

Transistor Configuration

Common Emitter

The Infineon EconoDUAL™ 3 1200 V, 900 A dual TRENCHSTOP™ IGBT7 module with emitter controlled 7 diode, NTC and PressFIT contact technology. Also available with pre-applied Thermal Interface Material.

Highest power density
Best-in-class VCE sat
Tvj op = 175°C overload
Improved terminals
Optimized creepage distance for 1500 V PV applications

relaterade länkar