STMicroelectronics STGF20H65DFB2 IGBT, 40 A 650 V, 3-Pin TO-220FP

Se alla IGBTs
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 rör med 50 enheter)*

741,20 kr

(exkl. moms)

926,50 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 08 maj 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per Rør*
50 - 5014,824 kr741,20 kr
100 - 20014,423 kr721,15 kr
250 - 45014,038 kr701,90 kr
500 - 95013,682 kr684,10 kr
1000 +13,341 kr667,05 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
204-9871
Tillv. art.nr:
STGF20H65DFB2
Tillverkare / varumärke:
STMicroelectronics
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

STMicroelectronics

Maximum Continuous Collector Current

40 A

Maximum Collector Emitter Voltage

650 V

Maximum Gate Emitter Voltage

±20V

Maximum Power Dissipation

45 W

Number of Transistors

1

Package Type

TO-220FP

Pin Count

3

COO (Country of Origin):
CN
The STMicroelectronics IGBT 650 V HB2 series represents an evolution of the advanced proprietary trench gate field-stop structure. The performance of the HB2 series is optimized in terms of conduction, thanks to a better VCE(sat) behaviour at low current values, as well as in terms of reduced switching energy.

Maximum junction temperature : TJ = 175 °C
Low VCE(sat) = 1.65 V (typ.) @ IC = 20 A
Very fast and soft recovery co-packaged diode
Minimized tail current
Tight parameter distribution
Low thermal resistance

relaterade länkar