onsemi FGH60T65SQD-F155, P-Channel IGBT, 60 A 650 V, 3-Pin TO-247 G03, Through Hole

Se alla IGBTs
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 2 enheter)*

106,98 kr

(exkl. moms)

133,72 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 424 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
2 - 1853,49 kr106,98 kr
20 +46,16 kr92,32 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
178-4627
Tillv. art.nr:
FGH60T65SQD-F155
Tillverkare / varumärke:
onsemi
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

onsemi

Maximum Continuous Collector Current

60 A

Maximum Collector Emitter Voltage

650 V

Maximum Gate Emitter Voltage

±30V

Number of Transistors

1

Maximum Power Dissipation

333 W

Package Type

TO-247 G03

Mounting Type

Through Hole

Channel Type

P

Pin Count

3

Transistor Configuration

Single

Dimensions

15.87 x 4.82 x 20.82mm

Gate Capacitance

3813pF

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Energy Rating

50mJ

Maximum Operating Temperature

+175 °C

COO (Country of Origin):
CN
Using novel field stop IGBT technology, ON semiconductor’s new series of field stop 4th generation IGBTs offer the optimum performance for solar inverter, UPS, welder, telecom, ESS and PFC applications where low conduction and switching losses are essential.

Maximum Junction Temperature: TJ =175°C
Positive Temperature Co-efficient for Easy Parallel Operating
High Current Capability
Low Saturation Voltage: VCE(sat) =1.6 V(Typ.) @ IC = 60 A
High Input Impedance
Fast Switching
Tighten Parameter Distribution
Applications
Solar Inverter, UPS, Welder, Telecom, ESS, PFC

relaterade länkar