IXYS IXGH40N120B2D1 IGBT, 75 A 1200 V, 3-Pin TO-247, Through Hole

Se alla IGBTs

Antal (1 rör med 30 enheter)*

4 338,54 kr

(exkl. moms)

5 423,16 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • 30 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per Rør*
30 +144,618 kr4 338,54 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
168-4435
Tillv. art.nr:
IXGH40N120B2D1
Tillverkare / varumärke:
IXYS
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

IXYS

Maximum Continuous Collector Current

75 A

Maximum Collector Emitter Voltage

1200 V

Maximum Gate Emitter Voltage

±20V

Package Type

TO-247

Mounting Type

Through Hole

Channel Type

N

Pin Count

3

Transistor Configuration

Single

Dimensions

16.26 x 5.3 x 21.46mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Maximum Operating Temperature

+150 °C

IGBT Discretes, IXYS



IGBT Discretes & Modules, IXYS


The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

relaterade länkar