Starpower, IGBT Diskret, 100 A 30 ns, 4 Ben, TO-247PLUS-4L
- RS-artikelnummer:
- 427-754
- Tillv. art.nr:
- DG75A08TDFQ
- Tillverkare / varumärke:
- Starpower
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 förpackning med 2 enheter)*
84,44 kr
(exkl. moms)
105,56 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 25 maj 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 42,22 kr | 84,44 kr |
| 20 - 198 | 38,025 kr | 76,05 kr |
| 200 - 998 | 35,055 kr | 70,11 kr |
| 1000 - 1998 | 32,535 kr | 65,07 kr |
| 2000 + | 26,71 kr | 53,42 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 427-754
- Tillv. art.nr:
- DG75A08TDFQ
- Tillverkare / varumärke:
- Starpower
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Starpower | |
| Produkttyp | IGBT Diskret | |
| Maximal kontinuerlig kollektorström Ic | 100A | |
| Maximal effektförlust Pd | 378W | |
| Kapseltyp | TO-247PLUS-4L | |
| Antal ben | 4 | |
| Switchhastighet | 30ns | |
| Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT | 1.9V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -40°C | |
| Maximal spänning för gate-emitter VGEO | ±20 V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Serie | DOSEMI | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Starpower | ||
Produkttyp IGBT Diskret | ||
Maximal kontinuerlig kollektorström Ic 100A | ||
Maximal effektförlust Pd 378W | ||
Kapseltyp TO-247PLUS-4L | ||
Antal ben 4 | ||
Switchhastighet 30ns | ||
Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT 1.9V | ||
Minsta arbetsstemperatur -40°C | ||
Maximal spänning för gate-emitter VGEO ±20 V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Serie DOSEMI | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
The Starpower IGBT Power Discrete provides ultralow conduction loss as well as low switching loss. They are designed for the applications such as solar power.
Low switching loss
Maximum junction temperature 175°C
VCE(sat) with positive temperature coefficient
Very low reverse recovery loss based on SiC diode
Relaterade länkar
- Starpower Nej DG75A08TDFS 100 A 750 V TO-247PLUS-4L
- Starpower Nej DG200A08TCSS 200 A 750 V TO-247PLUS-3L
- Starpower Nej DG140A12TCFS 175 A 28 ns
- Starpower Nej DG25X12T2 50 A 22 ns
- Starpower Nej DG10X12T2 20 A
- Starpower Nej DG10X06T1 25 A 600 V
- Starpower Nej DG15X12T2 15 A 1200 V
- Starpower Nej DG160X07T2 160 A 650 V