STMicroelectronics, IGBT, Typ N Kanal, 5 A 1200 V 690 ns, 3 Ben, TO-252 Yta
- RS-artikelnummer:
- 877-2879P
- Tillv. art.nr:
- STGD5NB120SZT4
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Mängdrabatt möjlig
Antal 25 enheter (levereras på en kontinuerlig remsa)*
413,70 kr
(exkl. moms)
517,125 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
I lager
- 6 890 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 25 - 45 | 16,548 kr |
| 50 - 120 | 14,91 kr |
| 125 - 245 | 13,412 kr |
| 250 + | 12,716 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 877-2879P
- Tillv. art.nr:
- STGD5NB120SZT4
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Maximal kontinuerlig kollektorström Ic | 5A | |
| Produkttyp | IGBT | |
| Maximal kollektor-emitterspänning Vceo | 1200V | |
| Maximal effektförlust Pd | 75W | |
| Kapseltyp | TO-252 | |
| Fästetyp | Yta | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Antal ben | 3 | |
| Switchhastighet | 690ns | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT | 2V | |
| Maximal spänning för gate-emitter VGEO | ±20 V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Höjd | 2.2mm | |
| Bredd | 6.4 mm | |
| Längd | 6.2mm | |
| Serie | H | |
| Standarder/godkännanden | JEDEC JESD97, ECOPACK | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Energimärkning | 12.68mJ | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Maximal kontinuerlig kollektorström Ic 5A | ||
Produkttyp IGBT | ||
Maximal kollektor-emitterspänning Vceo 1200V | ||
Maximal effektförlust Pd 75W | ||
Kapseltyp TO-252 | ||
Fästetyp Yta | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Antal ben 3 | ||
Switchhastighet 690ns | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT 2V | ||
Maximal spänning för gate-emitter VGEO ±20 V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Höjd 2.2mm | ||
Bredd 6.4 mm | ||
Längd 6.2mm | ||
Serie H | ||
Standarder/godkännanden JEDEC JESD97, ECOPACK | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Energimärkning 12.68mJ | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
IGBT Discretes, STMicroelectronics
Diskreta IGBBT-enheter och moduler, STMicroelectronics
Isolerad bipolär grindtransistor eller IGBT är en halvledare med tre terminaler, känd för hög effektivitet och snabb omkoppling. IGBT kombinerar de enkla gate-drivningsegenskaperna hos MOSFET:erna med kapaciteten för hög ström och låg mättnadsspänning hos bipolära transistorer genom att kombinera en isolerad gate-FET för styringången och en bipolär effekttransistor som omkopplare i en enda enhet.