STMicroelectronics, Trench Gate Fältstopp IGBT, Typ N Kanal, 30 A 600 V, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål
- RS-artikelnummer:
- 860-7450P
- Tillv. art.nr:
- STGW30H60DFB
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Mängdrabatt möjlig
Antal 10 enheter (levereras i ett rör)*
305,75 kr
(exkl. moms)
382,19 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 48 enhet(er) från den 27 april 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 10 - 18 | 30,575 kr |
| 20 - 48 | 27,44 kr |
| 50 - 98 | 24,585 kr |
| 100 + | 23,465 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 860-7450P
- Tillv. art.nr:
- STGW30H60DFB
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Maximal kontinuerlig kollektorström Ic | 30A | |
| Produkttyp | Trench Gate Fältstopp IGBT | |
| Maximal kollektor-emitterspänning Vceo | 600V | |
| Maximal effektförlust Pd | 260W | |
| Kapseltyp | TO-247 | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Antal ben | 3 | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT | 2V | |
| Maximal spänning för gate-emitter VGEO | ±20 V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Serie | HB | |
| Längd | 15.75mm | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Höjd | 20.15mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Maximal kontinuerlig kollektorström Ic 30A | ||
Produkttyp Trench Gate Fältstopp IGBT | ||
Maximal kollektor-emitterspänning Vceo 600V | ||
Maximal effektförlust Pd 260W | ||
Kapseltyp TO-247 | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Antal ben 3 | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT 2V | ||
Maximal spänning för gate-emitter VGEO ±20 V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Serie HB | ||
Längd 15.75mm | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Höjd 20.15mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
IGBT Discretes, STMicroelectronics
Diskreta IGBBT-enheter och moduler, STMicroelectronics
Isolerad bipolär grindtransistor eller IGBT är en halvledare med tre terminaler, känd för hög effektivitet och snabb omkoppling. IGBT kombinerar de enkla gate-drivningsegenskaperna hos MOSFET:erna med kapaciteten för hög ström och låg mättnadsspänning hos bipolära transistorer genom att kombinera en isolerad gate-FET för styringången och en bipolär effekttransistor som omkopplare i en enda enhet.