STMicroelectronics, IGBT, Typ N Kanal, 6 A 1200 V 1 MHz, 3 Ben, TO-220 Genomgående hål
- RS-artikelnummer:
- 795-9094P
- Tillv. art.nr:
- STGF3NC120HD
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Mängdrabatt möjlig
Antal 25 enheter (levereras i ett rör)*
571,20 kr
(exkl. moms)
714,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
I lager
- 1 350 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 25 - 45 | 22,848 kr |
| 50 - 120 | 20,586 kr |
| 125 - 245 | 18,524 kr |
| 250 + | 17,606 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 795-9094P
- Tillv. art.nr:
- STGF3NC120HD
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Produkttyp | IGBT | |
| Maximal kontinuerlig kollektorström Ic | 6A | |
| Maximal kollektor-emitterspänning Vceo | 1200V | |
| Maximal effektförlust Pd | 25W | |
| Kapseltyp | TO-220 | |
| Fästetyp | Genomgående hål | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Antal ben | 3 | |
| Switchhastighet | 1MHz | |
| Maximal spänning för gate-emitter VGEO | 20 V | |
| Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT | 2.8V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Längd | 10.4mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 16.4mm | |
| Bredd | 4.6 mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Produkttyp IGBT | ||
Maximal kontinuerlig kollektorström Ic 6A | ||
Maximal kollektor-emitterspänning Vceo 1200V | ||
Maximal effektförlust Pd 25W | ||
Kapseltyp TO-220 | ||
Fästetyp Genomgående hål | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Antal ben 3 | ||
Switchhastighet 1MHz | ||
Maximal spänning för gate-emitter VGEO 20 V | ||
Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT 2.8V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Längd 10.4mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 16.4mm | ||
Bredd 4.6 mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
IGBT Discretes, STMicroelectronics
Diskreta IGBBT-enheter och moduler, STMicroelectronics
Isolerad bipolär grindtransistor eller IGBT är en halvledare med tre terminaler, känd för hög effektivitet och snabb omkoppling. IGBT kombinerar de enkla gate-drivningsegenskaperna hos MOSFET:erna med kapaciteten för hög ström och låg mättnadsspänning hos bipolära transistorer genom att kombinera en isolerad gate-FET för styringången och en bipolär effekttransistor som omkopplare i en enda enhet.