STMicroelectronics, IGBT, Typ N Kanal, 20 A 600 V 1 MHz, 3 Ben, TO-263 Yta
- RS-artikelnummer:
- 795-7041P
- Tillv. art.nr:
- STGB10NC60HDT4
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Mängdrabatt möjlig
Antal 25 enheter (levereras på en kontinuerlig remsa)*
555,50 kr
(exkl. moms)
694,50 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
I lager
- 250 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 25 - 45 | 22,22 kr |
| 50 - 120 | 20,026 kr |
| 125 - 245 | 17,964 kr |
| 250 + | 17,092 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 795-7041P
- Tillv. art.nr:
- STGB10NC60HDT4
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Produkttyp | IGBT | |
| Maximal kontinuerlig kollektorström Ic | 20A | |
| Maximal kollektor-emitterspänning Vceo | 600V | |
| Maximal effektförlust Pd | 65W | |
| Kapseltyp | TO-263 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Antal ben | 3 | |
| Switchhastighet | 1MHz | |
| Maximal spänning för gate-emitter VGEO | ±20 V | |
| Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT | 2.5V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Höjd | 4.6mm | |
| Längd | 10.4mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Produkttyp IGBT | ||
Maximal kontinuerlig kollektorström Ic 20A | ||
Maximal kollektor-emitterspänning Vceo 600V | ||
Maximal effektförlust Pd 65W | ||
Kapseltyp TO-263 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Antal ben 3 | ||
Switchhastighet 1MHz | ||
Maximal spänning för gate-emitter VGEO ±20 V | ||
Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT 2.5V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Höjd 4.6mm | ||
Längd 10.4mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
IGBT Discretes, STMicroelectronics
Diskreta IGBBT-enheter och moduler, STMicroelectronics
Isolerad bipolär grindtransistor eller IGBT är en halvledare med tre terminaler, känd för hög effektivitet och snabb omkoppling. IGBT kombinerar de enkla gate-drivningsegenskaperna hos MOSFET:erna med kapaciteten för hög ström och låg mättnadsspänning hos bipolära transistorer genom att kombinera en isolerad gate-FET för styringången och en bipolär effekttransistor som omkopplare i en enda enhet.