Infineon, IGBT, Typ N Kanal, 80 A 600 V, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål

Se alla IGBT:er

Antal (1 enhet)*

60,26 kr

(exkl. moms)

75,32 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 17 enhet(er) från den 23 februari 2026
  • Dessutom levereras 15 enhet(er) från den 23 februari 2026
  • Dessutom levereras 364 enhet(er) från den 02 mars 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
1 +60,26 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
754-5409
Tillv. art.nr:
IKW50N60TFKSA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

IGBT

Maximal kontinuerlig kollektorström Ic

80A

Maximal kollektor-emitterspänning Vceo

600V

Maximal effektförlust Pd

333W

Kapseltyp

TO-247

Fästetyp

Genomgående hål

Kanaltyp

Typ N

Antal ben

3

Minsta arbetsstemperatur

-40°C

Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT

2V

Maximal spänning för gate-emitter VGEO

20 V

Maximal arbetstemperatur

175°C

Standarder/godkännanden

Pb-Free, JEDEC1, RoHS

Serie

TrenchStop

Fordonsstandard

Nej

Infineon TrenchStop IGBT-transistorer, 600 och 650V


En serie IGBT-transistorer från Infineon med kollektor-emitterspänning på 600 och 650 V med TrenchStop™-teknik. Sortimentet omfattar enheter med en integrerad antiparallelldiod med hög hastighet och snabb återställning.

• Spänningsområde kollektor-emitter 600 till 650 V

• Mycket låg VCEsat

• Låga avstängningsförluster

• Kort svansström

• Låg EMI

• Maximal anslutningstemperatur 175°C

Diskreta IGBBT-enheter och moduler, Infineon


Isolerad bipolär grindtransistor eller IGBT är en halvledare med tre terminaler, känd för hög effektivitet och snabb omkoppling. IGBT kombinerar de enkla gate-drivningsegenskaperna hos MOSFET:erna med kapaciteten för hög ström och låg mättnadsspänning hos bipolära transistorer genom att kombinera en isolerad gate-FET för styringången och en bipolär effekttransistor som omkopplare i en enda enhet.

Relaterade länkar