STMicroelectronics, IGBT, Typ N Kanal, 200 A 600 V, 4 Ben, ISOTOP Klämma
- RS-artikelnummer:
- 686-8348P
- Tillv. art.nr:
- STGE200NB60S
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Mängdrabatt möjlig
Antal 2 enheter (levereras i ett rör)*
534,46 kr
(exkl. moms)
668,08 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
I lager
- 577 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 2 + | 267,23 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 686-8348P
- Tillv. art.nr:
- STGE200NB60S
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Maximal kontinuerlig kollektorström Ic | 200A | |
| Produkttyp | IGBT | |
| Maximal kollektor-emitterspänning Vceo | 600V | |
| Maximal effektförlust Pd | 600W | |
| Kapseltyp | ISOTOP | |
| Fästetyp | Klämma | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Antal ben | 4 | |
| Maximal spänning för gate-emitter VGEO | ±20 V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT | 1.6V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | ECOPACK, JESD97 | |
| Bredd | 31.7 mm | |
| Längd | 38.2mm | |
| Höjd | 12.2mm | |
| Serie | Powermesh | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Maximal kontinuerlig kollektorström Ic 200A | ||
Produkttyp IGBT | ||
Maximal kollektor-emitterspänning Vceo 600V | ||
Maximal effektförlust Pd 600W | ||
Kapseltyp ISOTOP | ||
Fästetyp Klämma | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Antal ben 4 | ||
Maximal spänning för gate-emitter VGEO ±20 V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT 1.6V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden ECOPACK, JESD97 | ||
Bredd 31.7 mm | ||
Längd 38.2mm | ||
Höjd 12.2mm | ||
Serie Powermesh | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
IGBT Discretes, STMicroelectronics
Diskreta IGBBT-enheter och moduler, STMicroelectronics
Isolerad bipolär grindtransistor eller IGBT är en halvledare med tre terminaler, känd för hög effektivitet och snabb omkoppling. IGBT kombinerar de enkla gate-drivningsegenskaperna hos MOSFET:erna med kapaciteten för hög ström och låg mättnadsspänning hos bipolära transistorer genom att kombinera en isolerad gate-FET för styringången och en bipolär effekttransistor som omkopplare i en enda enhet.