Infineon, IGBT-modul 600 V 7
- RS-artikelnummer:
- 244-5395
- Tillv. art.nr:
- FP30R06W1E3BOMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (24 enheter, i ett fack med 24)*
5 605,99 kr
(exkl. moms)
7 007,50 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 24 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per fack* |
|---|---|---|
| 24 - 24 | 233,583 kr | 5 605,99 kr |
| 48 + | 221,904 kr | 5 325,70 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 244-5395
- Tillv. art.nr:
- FP30R06W1E3BOMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | IGBT-modul | |
| Maximal kollektor-emitterspänning Vceo | 600V | |
| Maximal effektförlust Pd | 115W | |
| Antal transistorer | 7 | |
| Maximal spänning för gate-emitter VGEO | 20 V | |
| Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT | 2V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -40°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Längd | 62.8mm | |
| Höjd | 12mm | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Bredd | 33.8mm | |
| Serie | FP30R06W1E3B | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp IGBT-modul | ||
Maximal kollektor-emitterspänning Vceo 600V | ||
Maximal effektförlust Pd 115W | ||
Antal transistorer 7 | ||
Maximal spänning för gate-emitter VGEO 20 V | ||
Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT 2V | ||
Minsta arbetsstemperatur -40°C | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Längd 62.8mm | ||
Höjd 12mm | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Bredd 33.8mm | ||
Serie FP30R06W1E3B | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineon FP30R06W1E3B-serien IGBT-modul, 600 V max kollektor-emitterspänning, 115 W maximal effektförlust - FP30R06W1E3BOMA1
Denna IGBT-modul är en effekthalvledarenhet som är utformad för att växla och styra högspännings-DC i industriella omvandlare och kraftsystem. Den fungerar över ett brett temperaturområde och är avsedd för tillämpningar där högspänningshantering och definierad grindstyrning krävs.
Funktioner och fördelar:
• 600 V-klassning möjliggör hantering av högspänningskretsar
• Maximal förlust på 115 W möjliggör hållbar effekthantering
• VGE 20 V gate-tolerans stöder standard gate-drivspänningar
• Låg VCE(sat) på 2 V minskar ledningsförlusterna under påslagningstillståndet
• Topologin med sju transistorer ökar kopplingstätheten och funktionaliteten
• RoHS-överensstämmelse säkerställer begränsning av farliga ämnen
• Maximal förlust på 115 W möjliggör hållbar effekthantering
• VGE 20 V gate-tolerans stöder standard gate-drivspänningar
• Låg VCE(sat) på 2 V minskar ledningsförlusterna under påslagningstillståndet
• Topologin med sju transistorer ökar kopplingstätheten och funktionaliteten
• RoHS-överensstämmelse säkerställer begränsning av farliga ämnen
Användningsområden
• Lämplig för växelriktarsteg med medelhög spänning i industriella drivenheter
• Idealisk för strömomvandling i växelriktare för förnybar energi
• Används med motorstyrningsenheter som kräver flera omkopplingselement
• Kan användas för DC/DC-omvandling i högspänningssystem
• Lämplig för laboratorietestapparater som utvärderar omkoppling vid höga temperaturer
• Idealisk för strömomvandling i växelriktare för förnybar energi
• Används med motorstyrningsenheter som kräver flera omkopplingselement
• Kan användas för DC/DC-omvandling i högspänningssystem
• Lämplig för laboratorietestapparater som utvärderar omkoppling vid höga temperaturer
Vilka termiska extremer tål den under drift?
Den är klassad för drift ned till −40 °C och upp till 150 °C kontinuerlig kopplingstemperatur.
Hur påverkar transistorantalet kretsdesignen?
Att ha sju transistorer möjliggör kompakta multi-switch-arrangemang och minskar antalet externa komponenter för flerfas- eller parallella konfigurationer.
Vilken elektrisk gräns definierar spänningskapaciteten i avstängt läge?
Modulens maximala kollektor-emitterspänning anger dess spänningstålighet i avstängt läge vid 600 V.
Hur bör konstruktörer ta hänsyn till effektförluster i termisk planering?
Använd den maximala effektförlustfaktorn på 115 W för att storlek kylflänsar och termiska gränssnitt för att upprätthålla gränserna för kopplingstemperaturer.
Finns det några begränsningar av miljöförsörjningen som anges för urvalet?
Enheten uppfyller RoHS-kraven som begränsar vissa farliga material i monteringen.
Relaterade länkar
- Infineon, IGBT-modul 600 V 7
- Infineon FF300R06KE3B2HOSA1 Series IGBT Module, 400 A 600 V, 7-Pin 62MM Module, Panel Mount
- Infineon, IGBT-modul 1200 V 7
- Infineon, IGBT-modul, 16 A 600 V, Modul Panel
- Infineon, IGBT-modul, 22 A 600 V, Modul Panel
- Infineon, IGBT-modul, 27 A 600 V, Modul Panel
- Infineon, IGBT-modul, 45 A 600 V, Modul Panel
- Infineon, IGBT-modul, 100 A 600 V, Modul Panel
