onsemi, IGBT 650 V, 3 Ben, TO-247-3L Yta
- RS-artikelnummer:
- 241-0736
- Tillv. art.nr:
- FGHL75T65LQDT
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 enhet)*
68,10 kr
(exkl. moms)
85,12 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 405 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 - 9 | 68,10 kr |
| 10 - 99 | 58,70 kr |
| 100 + | 50,87 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 241-0736
- Tillv. art.nr:
- FGHL75T65LQDT
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | onsemi | |
| Produkttyp | IGBT | |
| Maximal kollektor-emitterspänning Vceo | 650V | |
| Maximal effektförlust Pd | 469W | |
| Kapseltyp | TO-247-3L | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal spänning för gate-emitter VGEO | 20 V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Serie | FGHL75T65LQDT | |
| Höjd | 4.82mm | |
| Längd | 15.87mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke onsemi | ||
Produkttyp IGBT | ||
Maximal kollektor-emitterspänning Vceo 650V | ||
Maximal effektförlust Pd 469W | ||
Kapseltyp TO-247-3L | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal spänning för gate-emitter VGEO 20 V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Serie FGHL75T65LQDT | ||
Höjd 4.82mm | ||
Längd 15.87mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
The ON Semiconductor 650 V, 75 A FS4 low Vce(sat) IGBT. This offer the optimum performance by balancing Vce(sat) and Eoff losses and well controllable turnoff Vce overshoot. Well suited for solar inverter, UPS, EV charging stations, ESS and other high performance power conversion applications.
Positive temperature co-efficient
Easy paralleling operation
Low conduction losses