onsemi, IGBT 650 V, 3 Ben, TO-247-3L Yta
- RS-artikelnummer:
- 241-0731
- Tillv. art.nr:
- FGHL50T65MQDT
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Antal (1 rör med 450 enheter)*
12 458,70 kr
(exkl. moms)
15 573,60 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 02 juli 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rör* |
|---|---|---|
| 450 + | 27,686 kr | 12 458,70 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 241-0731
- Tillv. art.nr:
- FGHL50T65MQDT
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | onsemi | |
| Produkttyp | IGBT | |
| Maximal kollektor-emitterspänning Vceo | 650V | |
| Maximal effektförlust Pd | 268W | |
| Kapseltyp | TO-247-3L | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal spänning för gate-emitter VGEO | 20 V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Längd | 15.87mm | |
| Höjd | 4.82mm | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Serie | FGHL50T65MQDT | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke onsemi | ||
Produkttyp IGBT | ||
Maximal kollektor-emitterspänning Vceo 650V | ||
Maximal effektförlust Pd 268W | ||
Kapseltyp TO-247-3L | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal spänning för gate-emitter VGEO 20 V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Längd 15.87mm | ||
Höjd 4.82mm | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Serie FGHL50T65MQDT | ||
Fordonsstandard Nej | ||
The ON Semiconductor 650 V, 50 A FS4 medium switching speed IGBT. This offer the optimum performance by balancing Vce(sat) and Eoff losses and well controllable turnoff Vce overshoot. Well suited for solar inverter, UPS, EV charging stations, ESS and other high performance power conversion applications.
Positive temperature co-efficient
Easy paralleling operation
Low switching losses
Low conduction losses