Infineon, IGBT, N Kanal, 30 A 1600 V, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål 1

Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriser

Antal (1 förpackning med 5 enheter)*

252,67 kr

(exkl. moms)

315,84 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 70 enhet(er) är redo att levereras
  • Dessutom levereras 1 690 enhet(er) från den 05 oktober 2026
  • Dessutom levereras 240 enhet(er) från den 29 oktober 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
Per förpackning*
5 - 550,534 kr252,67 kr
10 - 2045,516 kr227,58 kr
25 - 4542,448 kr212,24 kr
50 - 12039,424 kr197,12 kr
125 +36,916 kr184,58 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
218-4399
Distrelec artikelnummer:
304-31-963
Tillv. art.nr:
IHW30N160R5XKSA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Maximal kontinuerlig kollektorström Ic

30A

Produkttyp

IGBT

Maximal kollektor-emitterspänning Vceo

1600V

Antal transistorer

1

Maximal effektförlust Pd

263W

Kapseltyp

TO-247

Typ av fäste

Genomgående hål

Kanaltyp

N

Antal ben

3

Minsta arbetsstemperatur

-40°C

Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT

1.85V

Maximal spänning för gate-emitter VGEO

±20 ±25 V

Maximal arbetstemperatur

175°C

Höjd

5.3mm

Serie

IHW30N160R5

Bredd

16.3mm

Standarder/godkännanden

JEDEC47/20/22

Längd

21.5mm

Fordonsstandard

Nej

Infineon IHW30N160R5-serien IGBT, 1600 V kollektor-emitterspänning, 30 A kollektorström – IHW30N160R5XKSA1


Denna IGBT är en högspänningstransistor med genomgående hål som är utformad för strömomkoppling i krävande industriella miljöer. Den fungerar som en N-kanal-enhet i en TO‐247-kapsel och är avsedd för tillämpningar som kräver betydande strömhantering och förhöjd temperaturtolerans.

Funktioner och fördelar:


• Hanterar kontinuerlig kollektorström på 30 A för långvariga laster
• Tål en kollektor-emitterspänning på 1600 V för högspänningssystem
• Nominell effektförlust på 263 W stöder kraftig omkoppling
• Låg mättnadsspänning mellan kollektor och emitter på 1,85 V minskar ledningsförlusterna
• Gate-emitter-spänningstolerans på ±20–25 V möjliggör robusta gate-drivenhetsmarginaler
• Godkänd enligt JEDEC 47/20/22 för standardiserad termisk och mekanisk motståndskraft

Användningsområden


• Lämplig för industriella högspänningsväxelriktare
• Används för drag- och motordrivmoduler med medelstor effekt
• Idealisk för högspännings-DC-DC-omvandlingskretsar
• Kan användas för nätaggregat inom industriell automation
• Används med värmehanteringssystem som drivs vid höga temperaturer

Vilket arbetstemperaturområde kan den tolerera?


Den fungerar över −40 °C till 175 °C, vilket möjliggör användning i breda termiska miljöer.

Hur många transistorelement finns i enheten?


Kapseln innehåller ett transistorelement för diskret omkoppling.

Vilken monteringsmetod och förpackningstyp används den?


Den levereras för genomgående hålmontering i en TO‐247-kapsel.

Finns det några godkännanden för mekaniska och termiska tester?


Den uppfyller JEDEC 47/20/22-standarderna för termisk cykling och relaterade tester.

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.