Infineon, IGBT, N Kanal, 30 A 1600 V, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål 1
- RS-artikelnummer:
- 218-4399
- Distrelec artikelnummer:
- 304-31-963
- Tillv. art.nr:
- IHW30N160R5XKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (5 enheter, i en förpackning med 5)*
252,67 kr
(exkl. moms)
315,84 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 70 enhet(er) från den 28 september 2026
- Dessutom levereras 1 690 enhet(er) från den 05 oktober 2026
- Dessutom levereras 240 enhet(er) från den 29 oktober 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 5 | 50,534 kr | 252,67 kr |
| 10 - 20 | 45,516 kr | 227,58 kr |
| 25 - 45 | 42,448 kr | 212,24 kr |
| 50 - 120 | 39,424 kr | 197,12 kr |
| 125 + | 36,916 kr | 184,58 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 218-4399
- Distrelec artikelnummer:
- 304-31-963
- Tillv. art.nr:
- IHW30N160R5XKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Maximal kontinuerlig kollektorström Ic | 30A | |
| Produkttyp | IGBT | |
| Maximal kollektor-emitterspänning Vceo | 1600V | |
| Antal transistorer | 1 | |
| Maximal effektförlust Pd | 263W | |
| Kapseltyp | TO-247 | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Kanaltyp | N | |
| Antal ben | 3 | |
| Minsta arbetsstemperatur | -40°C | |
| Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT | 1.85V | |
| Maximal spänning för gate-emitter VGEO | ±20 ±25 V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Höjd | 5.3mm | |
| Serie | IHW30N160R5 | |
| Bredd | 16.3mm | |
| Standarder/godkännanden | JEDEC47/20/22 | |
| Längd | 21.5mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Maximal kontinuerlig kollektorström Ic 30A | ||
Produkttyp IGBT | ||
Maximal kollektor-emitterspänning Vceo 1600V | ||
Antal transistorer 1 | ||
Maximal effektförlust Pd 263W | ||
Kapseltyp TO-247 | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Kanaltyp N | ||
Antal ben 3 | ||
Minsta arbetsstemperatur -40°C | ||
Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT 1.85V | ||
Maximal spänning för gate-emitter VGEO ±20 ±25 V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Höjd 5.3mm | ||
Serie IHW30N160R5 | ||
Bredd 16.3mm | ||
Standarder/godkännanden JEDEC47/20/22 | ||
Längd 21.5mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineon IHW30N160R5-serien IGBT, 1600 V kollektor-emitterspänning, 30 A kollektorström – IHW30N160R5XKSA1
Denna IGBT är en högspänningstransistor med genomgående hål som är utformad för strömomkoppling i krävande industriella miljöer. Den fungerar som en N-kanal-enhet i en TO‐247-kapsel och är avsedd för tillämpningar som kräver betydande strömhantering och förhöjd temperaturtolerans.
Funktioner och fördelar:
• Hanterar kontinuerlig kollektorström på 30 A för långvariga laster
• Tål en kollektor-emitterspänning på 1600 V för högspänningssystem
• Nominell effektförlust på 263 W stöder kraftig omkoppling
• Låg mättnadsspänning mellan kollektor och emitter på 1,85 V minskar ledningsförlusterna
• Gate-emitter-spänningstolerans på ±20–25 V möjliggör robusta gate-drivenhetsmarginaler
• Godkänd enligt JEDEC 47/20/22 för standardiserad termisk och mekanisk motståndskraft
• Tål en kollektor-emitterspänning på 1600 V för högspänningssystem
• Nominell effektförlust på 263 W stöder kraftig omkoppling
• Låg mättnadsspänning mellan kollektor och emitter på 1,85 V minskar ledningsförlusterna
• Gate-emitter-spänningstolerans på ±20–25 V möjliggör robusta gate-drivenhetsmarginaler
• Godkänd enligt JEDEC 47/20/22 för standardiserad termisk och mekanisk motståndskraft
Användningsområden
• Lämplig för industriella högspänningsväxelriktare
• Används för drag- och motordrivmoduler med medelstor effekt
• Idealisk för högspännings-DC-DC-omvandlingskretsar
• Kan användas för nätaggregat inom industriell automation
• Används med värmehanteringssystem som drivs vid höga temperaturer
• Används för drag- och motordrivmoduler med medelstor effekt
• Idealisk för högspännings-DC-DC-omvandlingskretsar
• Kan användas för nätaggregat inom industriell automation
• Används med värmehanteringssystem som drivs vid höga temperaturer
Vilket arbetstemperaturområde kan den tolerera?
Den fungerar över −40 °C till 175 °C, vilket möjliggör användning i breda termiska miljöer.
Hur många transistorelement finns i enheten?
Kapseln innehåller ett transistorelement för diskret omkoppling.
Vilken monteringsmetod och förpackningstyp används den?
Den levereras för genomgående hålmontering i en TO‐247-kapsel.
Finns det några godkännanden för mekaniska och termiska tester?
Den uppfyller JEDEC 47/20/22-standarderna för termisk cykling och relaterade tester.
Relaterade länkar
- Infineon, IGBT, N Kanal, 30 A 1600 V, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål 1
- Infineon, IGBT, N Kanal, 81 A 1200 V, TO-247
- Infineon, IGBT, N Kanal, 30 A 600 V, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål
- Infineon, IGBT, N Kanal, 30 A 1200 V, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål
- STMicroelectronics, IGBT, N Kanal, 85 A 1600 V 331 ns, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål
- Infineon, IGBT, N Kanal, 30 A 1350 V, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål 1
- Infineon, IGBT, N Kanal, 30 A 650 V, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål 1
- Infineon, IGBT, N Kanal 1200 V, 3 Ben, PG-TO-247-3-PLUS-N Genomgående hål