Infineon, IGBT-modul, N Kanal, 600 A 1.2 kV, 11 Ben, ECONODUAL Yta 2
- RS-artikelnummer:
- 218-4341
- Tillv. art.nr:
- FF600R12ME4B72BOSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Få en mängdrabatt
Lägg till 2 till för att spara 3%
Visa alternativ för volympriserAntal (1 enhet)*
1 907,25 kr
(exkl. moms)
2 384,06 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 28 april 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Besparing |
|---|---|---|
| 1 - 1 | 1 907,25 kr | - |
| 2 - 4 | 1 850,02 kr | 3% |
| 5 + | 1 773,97 kr | 6% |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 218-4341
- Tillv. art.nr:
- FF600R12ME4B72BOSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Maximal kontinuerlig kollektorström Ic | 600A | |
| Produkttyp | IGBT-modul | |
| Maximal kollektor-emitterspänning Vceo | 1.2kV | |
| Maximal effektförlust Pd | 20mW | |
| Antal transistorer | 2 | |
| Kapseltyp | ECONODUAL | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Kanaltyp | N | |
| Antal ben | 11 | |
| Minsta arbetsstemperatur | -40°C | |
| Maximal spänning för gate-emitter VGEO | 20 V | |
| Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT | 2.1V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 20.8mm | |
| Bredd | 62mm | |
| Serie | FF600R12ME4_B72 | |
| Längd | 152mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Maximal kontinuerlig kollektorström Ic 600A | ||
Produkttyp IGBT-modul | ||
Maximal kollektor-emitterspänning Vceo 1.2kV | ||
Maximal effektförlust Pd 20mW | ||
Antal transistorer 2 | ||
Kapseltyp ECONODUAL | ||
Typ av fäste Yta | ||
Kanaltyp N | ||
Antal ben 11 | ||
Minsta arbetsstemperatur -40°C | ||
Maximal spänning för gate-emitter VGEO 20 V | ||
Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT 2.1V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 20.8mm | ||
Bredd 62mm | ||
Serie FF600R12ME4_B72 | ||
Längd 152mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineon FF600R12ME4_B72-serien IGBT-modul, 1200 V kollektor-sändarspänning, 600 A kollektorström – FF600R12ME4B72BOSA1
Denna IGBT-modul ger högspänningsomkoppling för krävande strömtillämpningar, som kombinerar dubbel transistortopologi med ett kompakt ECONODUAL-paket för ytmontering. Den är utformad för att hantera stora kontinuerliga strömmar samtidigt som den arbetar över ett brett temperaturområde, vilket gör den lämplig för industriell strömomvandling och motorstyrningsmiljöer.
Funktioner och fördelar:
• 1200 V blockeringsspänning ger högspänningsomkopplingsförmåga
• 600 A kontinuerlig kollektorström möjliggör hantering av tunga belastningar
• Låg VCE(sat) på 2,1 V minskar ledningsförlusterna under drift
• Maximal effektförlust på 20 mW minimerar den interna effektförlusten
• N-gate-emitter 20 V-klassning möjliggör standard-gate-drivningsspänningar
• Dubbel transistorkonfiguration med stöd för halvbrygga och växelriktartopologier
• 600 A kontinuerlig kollektorström möjliggör hantering av tunga belastningar
• Låg VCE(sat) på 2,1 V minskar ledningsförlusterna under drift
• Maximal effektförlust på 20 mW minimerar den interna effektförlusten
• N-gate-emitter 20 V-klassning möjliggör standard-gate-drivningsspänningar
• Dubbel transistorkonfiguration med stöd för halvbrygga och växelriktartopologier
Användningsområden
• Lämplig för industriella motorstyrningsstegen
• Används med högspänningsväxelsystem i industrin
• Idealisk för omvandlarmoduler med hög strömstyrka
• Kan användas för strömförsörjningar som kräver robust omkoppling
• Lämplig för dragkraft och stora drivenheter som kräver dubbla omkopplare
• Används med högspänningsväxelsystem i industrin
• Idealisk för omvandlarmoduler med hög strömstyrka
• Kan användas för strömförsörjningar som kräver robust omkoppling
• Lämplig för dragkraft och stora drivenheter som kräver dubbla omkopplare
Vilken stiftkonfiguration använder den för kretskortsintegration?
Enheten använder en 11-polig layout formaterad för ytmontering i en ECONODUAL-kapsel.
Vilka är de tillåtna gränserna för omgivningstemperatur för drift?
Den fungerar tillförlitligt mellan -40 °C och 150 °C maximal drifttemperatur.
Hur många transistorer ingår och vilken topologi stöder det?
Modulen innehåller två transistorer som möjliggör dubbla brytararrangemang, t.ex. halvbryggor.
Vilken fysisk storlek bör jag tillåta i monteringslayouten?
Komponenten mäter 152 x 62 x 20,8 mm så att den fördelar motsvarande utrymme på monteringen.
Relaterade länkar
- Infineon, IGBT-modul, N Kanal, 600 A 1200 V, 11 Ben, ECONODUAL Yta 2
- Infineon, IGBT, N Kanal, 600 A 1200 V, 13 Ben, ECONODUAL Klämma
- Infineon, IGBT-modul Skylt Förbud Inga åtkomst, 600 A 1200 V, Modul Panel
- Infineon, IGBT-modul, N Kanal, 600 A 1200 V, 7 Ben, Standard Klämma
- Mitsubishi Electric, IGBT-modul, N Kanal, 600 A 1200 V, 11 Ben, Modul Kretskort 2
- Infineon, IGBT-modul, N Kanal, 450 A 1200 V 1 MHz, 11 Ben, ECONOD Klämma
- Infineon, IGBT-modul, 750 A 1200 V, 11 Ben, AG-ECONOD Yta 2
- Infineon, IGBT-modul, 450 A 1200 V, 11 Ben, AG-ECONOD Yta 2
