Infineon, IGBT, N Kanal, 85 A 650 V, 4 Ben, TO-247 Genomgående hål

Se alla IGBT:er
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriser

Antal 10 enheter (levereras i ett rör)*

621,05 kr

(exkl. moms)

776,31 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 236 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
10 - 1862,105 kr
20 - 4858,575 kr
50 - 9854,49 kr
100 +50,345 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
215-6677P
Tillv. art.nr:
IKZ50N65EH5XKSA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

IGBT

Maximal kontinuerlig kollektorström Ic

85A

Maximal kollektor-emitterspänning Vceo

650V

Maximal effektförlust Pd

273W

Kapseltyp

TO-247

Typ av fäste

Genomgående hål

Kanaltyp

N

Antal ben

4

Maximal spänning för gate-emitter VGEO

±30 V

Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT

1.65V

Minsta arbetsstemperatur

-40°C

Maximal arbetstemperatur

175°C

Standarder/godkännanden

JEDEC

Serie

High Speed Fifth Generation

Fordonsstandard

Nej

Infineon 650 V duopack isolerad bipolär porttransistor och diod kopackad med snabb 1 snabb och mjuk antiparallell diod.

Högeffektiv

Låga omkopplingsförluster

Ökad tillförlitlighet

Låg elektromagnetisk störning

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.