STMicroelectronics, IGBT, Typ N Kanal, 60 A 650 V 1 MHz, 4 Ben, TO-247 Genomgående hål
- RS-artikelnummer:
- 206-8630P
- Tillv. art.nr:
- STGWA30IH65DF
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal 50 enheter (levereras i ett rör)*
2 653,30 kr
(exkl. moms)
3 316,60 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 25 januari 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 50 - 120 | 53,066 kr |
| 125 + | 50,288 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 206-8630P
- Tillv. art.nr:
- STGWA30IH65DF
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Maximal kontinuerlig kollektorström Ic | 60A | |
| Produkttyp | IGBT | |
| Maximal kollektor-emitterspänning Vceo | 650V | |
| Maximal effektförlust Pd | 108W | |
| Kapseltyp | TO-247 | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Antal ben | 4 | |
| Switchhastighet | 1MHz | |
| Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT | 2.05V | |
| Maximal spänning för gate-emitter VGEO | 20 V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Längd | 15.9mm | |
| Höjd | 5.1mm | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Serie | STG | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Maximal kontinuerlig kollektorström Ic 60A | ||
Produkttyp IGBT | ||
Maximal kollektor-emitterspänning Vceo 650V | ||
Maximal effektförlust Pd 108W | ||
Kapseltyp TO-247 | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Antal ben 4 | ||
Switchhastighet 1MHz | ||
Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT 2.05V | ||
Maximal spänning för gate-emitter VGEO 20 V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Längd 15.9mm | ||
Höjd 5.1mm | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Serie STG | ||
Fordonsstandard Nej | ||
STMicroelectronics IGBT 650 V HB2-serien representerar en utveckling av den avancerade proprietära trench gate-fältstoppstrukturen. HB2 seriens prestanda är optimerad när det gäller ledningsförmåga, tack vare ett bättre VCE(sat) beteende vid låga strömvärden, liksom när det gäller minskad omkopplingsenergi.
Utformad endast för mjuk kommutering
Maximal samlingstemperatur: TJ = 175 °C
VCE(sat) = 1,55 V (typ. @ IC = 30 A
Minimerad slutström
Tight parameterfördelning
Låg värmeresistans
Sammanpackad diod med låg spänningsfall och fritt hjul
Positiv VCE(sat)-temperaturkoefficient