STMicroelectronics, IGBT, Typ N Kanal, 145 A 650 V 1 MHz, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål

Se alla IGBT:er
Mängdrabatt möjlig

Antal 10 enheter (levereras i ett rör)*

584,65 kr

(exkl. moms)

730,81 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 07 juli 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
10 +58,465 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
206-7208P
Tillv. art.nr:
STGWA100H65DFB2
Tillverkare / varumärke:
STMicroelectronics
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

STMicroelectronics

Maximal kontinuerlig kollektorström Ic

145A

Produkttyp

IGBT

Maximal kollektor-emitterspänning Vceo

650V

Maximal effektförlust Pd

441W

Kapseltyp

TO-247

Fästetyp

Genomgående hål

Kanaltyp

Typ N

Antal ben

3

Switchhastighet

1MHz

Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT

2V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal spänning för gate-emitter VGEO

20 V

Maximal arbetstemperatur

175°C

Längd

15.9mm

Höjd

5.1mm

Standarder/godkännanden

RoHS

Serie

STG

Bredd

21.1 mm

Fordonsstandard

Nej

The STMicroelectronics Trench gate field-stop, 650 V, 100 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO-247 long leads package.

Maximum junction temperature: TJ = 175 °C

Low VCE(sat) = 1.55 V(typ.) @ IC = 100 A

Very fast and soft recovery co-packaged diode

Minimized tail current

Tight parameter distribution

Low thermal resistance

Positive VCE(sat) temperature coefficient