STMicroelectronics, IGBT, Typ N Kanal, 145 A 650 V 1 MHz, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål

Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriser

Antal 20 enheter (levereras i ett rör)*

1 392,20 kr

(exkl. moms)

1 740,20 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 03 december 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
20 - 4869,61 kr
50 +65,97 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
206-7208P
Tillv. art.nr:
STGWA100H65DFB2
Tillverkare / varumärke:
STMicroelectronics
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

STMicroelectronics

Produkttyp

IGBT

Maximal kontinuerlig kollektorström Ic

145A

Maximal kollektor-emitterspänning Vceo

650V

Maximal effektförlust Pd

441W

Kapseltyp

TO-247

Typ av fäste

Genomgående hål

Kanaltyp

Typ N

Antal ben

3

Switchhastighet

1MHz

Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT

2V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal spänning för gate-emitter VGEO

20 V

Maximal arbetstemperatur

175°C

Längd

15.9mm

Höjd

5.1mm

Serie

STG

Standarder/godkännanden

RoHS

Fordonsstandard

Nej

STMicroelectronics Trench gate-fältstopp, 650 V, 100 A, höghastighets HB2-serien IGBT i en TO-247-paket med långa ledningar.

Maximal samlingstemperatur: TJ = 175 °C

Låg VCE(sat) = 1,55 V(typ.) @ IC = 100 A

Mycket snabb och mjuk återhämtningsdiod med sampaket

Minimerad slutström

Tight parameterfördelning

Låg värmeresistans

Positiv VCE(sat)-temperaturkoefficient

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.