STMicroelectronics, IGBT, Typ N Kanal, 40 A 650 V 1 MHz, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål

Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 5 enheter)*

167,10 kr

(exkl. moms)

208,90 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 25 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
5 - 533,42 kr167,10 kr
10 +28,47 kr142,35 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
202-5519
Tillv. art.nr:
STGWA40IH65DF
Tillverkare / varumärke:
STMicroelectronics
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

STMicroelectronics

Maximal kontinuerlig kollektorström Ic

40A

Produkttyp

IGBT

Maximal kollektor-emitterspänning Vceo

650V

Maximal effektförlust Pd

238W

Kapseltyp

TO-247

Fästetyp

Genomgående hål

Kanaltyp

Typ N

Antal ben

3

Switchhastighet

1MHz

Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT

2V

Maximal spänning för gate-emitter VGEO

20 V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal arbetstemperatur

175°C

Standarder/godkännanden

RoHS

Höjd

5.1mm

Längd

15.9mm

Bredd

21.1 mm

Serie

STG

Fordonsstandard

Nej

The STMicroelectronics soft-switching IH series IGBT has been developed using an advanced proprietary trench gate field-stop structure, whose performance is optimized both in conduction and switching losses for soft commutation.

Low drop voltage freewheeling co-packaged diode

Positive VCE(sat) temperature coefficient

Relaterade länkar