Infineon, IGBT-modul, Typ N Kanal, 450 A 1200 V 1 MHz, 11 Ben, ECONOD Klämma

Se alla IGBT:er

Antal (1 låda med 6 enheter)*

8 812,932 kr

(exkl. moms)

11 016,168 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 08 mars 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per låda*
6 +1 468,822 kr8 812,93 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
168-8780
Tillv. art.nr:
FF300R12ME4B11BPSA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Maximal kontinuerlig kollektorström Ic

450A

Produkttyp

IGBT-modul

Maximal kollektor-emitterspänning Vceo

1200V

Maximal effektförlust Pd

1.6kW

Kapseltyp

ECONOD

Fästetyp

Klämma

Kanaltyp

Typ N

Antal ben

11

Switchhastighet

1MHz

Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT

2.05V

Maximal spänning för gate-emitter VGEO

20 V

Minsta arbetsstemperatur

-40°C

Maximal arbetstemperatur

150°C

Bredd

62.5 mm

Längd

122.5mm

Standarder/godkännanden

No

Höjd

17mm

Fordonsstandard

Nej

COO (ursprungsland):
CN

IGBT-moduler, Infineon


Anoden Infineon sortimentet av IGBT-moduler erbjuder låg switchförlust för switchning av frekvenser upp till 60 Khz.

IGBT:erna spänner över en rad kraftmoduler som ECONOPACK-paketen med kollektor-emitterspänning på 1200 V, PrimePACK IGBT chopper-moduler med halvbrygga och NTC upp till 1600/1700V. PrimePACK IGBT:erna finns i industriella, kommersiella, bygg- och jordbruksfordon. N-kanals TRENCHSTOP TM och Fieldstop IGBT-moduler är lämpliga för hård- och mjukkopplande applikationer som t.ex. växelriktare, UPS och industriella frekvensomriktare.

Förpackningarna innehåller: 62 mm moduler, EasyPACK, EconoPACKTM2/EconoPACKTM3/EconoPACKTM4

Diskreta IGBBT-enheter och moduler, Infineon


Isolerad bipolär grindtransistor eller IGBT är en halvledare med tre terminaler, känd för hög effektivitet och snabb omkoppling. IGBT kombinerar de enkla gate-drivningsegenskaperna hos MOSFET:erna med kapaciteten för hög ström och låg mättnadsspänning hos bipolära transistorer genom att kombinera en isolerad gate-FET för styringången och en bipolär effekttransistor som omkopplare i en enda enhet.

Relaterade länkar