Infineon, IGBT, Typ N Kanal, 30 A 1200 V, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål

Se alla IGBT:er
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 4 enheter)*

157,472 kr

(exkl. moms)

196,84 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Lagerinformation är för närvarande otillgänglig
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
4 - 1639,368 kr157,47 kr
20 - 3637,435 kr149,74 kr
40 - 9635,84 kr143,36 kr
100 - 19634,245 kr136,98 kr
200 +31,893 kr127,57 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
110-7153
Tillv. art.nr:
IGW15N120H3FKSA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

IGBT

Maximal kontinuerlig kollektorström Ic

30A

Maximal kollektor-emitterspänning Vceo

1200V

Maximal effektförlust Pd

217W

Kapseltyp

TO-247

Fästetyp

Genomgående hål

Kanaltyp

Typ N

Antal ben

3

Minsta arbetsstemperatur

-40°C

Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT

2.05V

Maximal spänning för gate-emitter VGEO

±20 V

Maximal arbetstemperatur

175°C

Serie

TrenchStop

Standarder/godkännanden

Pb-Free, RoHS, JEDEC

Energimärkning

2.5mJ

Fordonsstandard

Nej

Infineon TrenchStop IGBT-transistorer, 1100 till 1600V


Ett sortiment av IGBT-transistorer från Infineon med spänning mellan kollektor och emitter på 1100 till 1600 V med TrenchStop™-teknik. Sortimentet omfattar enheter med en integrerad antiparallelldiod med hög hastighet och snabb återställning.

• Spänningsområde kollektor-emitter 1100 till 1600V

• Mycket låg VCEsat

• Låga avstängningsförluster

• Kort svansström

• Låg EMI

• Maximal anslutningstemperatur 175°C

Diskreta IGBBT-enheter och moduler, Infineon


Isolerad bipolär grindtransistor eller IGBT är en halvledare med tre terminaler, känd för hög effektivitet och snabb omkoppling. IGBT kombinerar de enkla gate-drivningsegenskaperna hos MOSFET:erna med kapaciteten för hög ström och låg mättnadsspänning hos bipolära transistorer genom att kombinera en isolerad gate-FET för styringången och en bipolär effekttransistor som omkopplare i en enda enhet.

Relaterade länkar