Infineon, IGBT, N Kanal, 216 A 1.2 kV, 3 Ben, PG-TO-247-3-PLUS-N Genomgående hål
- RS-artikelnummer:
- 284-978
- Tillv. art.nr:
- IGQ120N120S7XKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
För närvarande inte tillgänglig
Tyvärr, vi vet inte när detta kommer att finnas i lager igen.
- RS-artikelnummer:
- 284-978
- Tillv. art.nr:
- IGQ120N120S7XKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | IGBT | |
| Maximal kontinuerlig kollektorström Ic | 216A | |
| Maximal kollektor-emitterspänning Vceo | 1.2kV | |
| Maximal effektförlust Pd | 1kW | |
| Kapseltyp | PG-TO-247-3-PLUS-N | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Kanaltyp | N | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal spänning för gate-emitter VGEO | ±20 V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -40°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Bredd | 15.9mm | |
| Standarder/godkännanden | IEC 60068, IEC 60749, IEC 60747 | |
| Höjd | 5.1mm | |
| Längd | 20.1mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp IGBT | ||
Maximal kontinuerlig kollektorström Ic 216A | ||
Maximal kollektor-emitterspänning Vceo 1.2kV | ||
Maximal effektförlust Pd 1kW | ||
Kapseltyp PG-TO-247-3-PLUS-N | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Kanaltyp N | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal spänning för gate-emitter VGEO ±20 V | ||
Minsta arbetsstemperatur -40°C | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Bredd 15.9mm | ||
Standarder/godkännanden IEC 60068, IEC 60749, IEC 60747 | ||
Höjd 5.1mm | ||
Längd 20.1mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
The Infineon IGBT is a cutting edge power semiconductor designed for high performance applications. With its Advanced trench technology, this IGBT delivers exceptional ruggedness and reliability. Capable of withstanding short circuits for up to 8 microseconds, it is engineered for demanding environments such as industrial power supplies and renewable energy systems. The device operates at a collector emitter voltage of up to 1200 V and supports continuous collector currents of 120 A. Enhanced thermal performance is achieved through low thermal resistance, making it a favourite among engineers seeking efficiency and performance in their designs.
Optimized for high thermal dissipation
Handles brief short circuits reliably
Wide dv/dt controllability for flexibility
Conforms to industrial standards for robustness
Delivers low saturation voltage for efficiency
Offers a spectrum of models for applications
Relaterade länkar
- Infineon, IGBT, N Kanal, 216 A 1200 V, 3 Ben, PG-TO-247-3-PLUS-N Genomgående hål
- Infineon, IGBT, N Kanal 1200 V, 3 Ben, PG-TO-247-3-PLUS-N Genomgående hål
- Infineon, IGBT, N Kanal, 232 A 1200 V, 4 Ben, PG-TO-247-4-PLUS-NN5.1 Genomgående hål
- Infineon, IGBT, N Kanal 650 V, 3 Ben, PG-TO-247-3-PLUS-N Genomgående hål
- Infineon, IGBT, N Kanal, 120 A 750 V, 3 Ben, PG-TO-247-3-PLUS-N Genomgående hål
- Infineon, IGBT, N Kanal, 160 A 650 V, 3 Ben, PG-TO-247-3-PLUS-N Genomgående hål
- Infineon, IGBT, N Kanal, 95 A 1200 V, 4 Ben, PG-TO-247-4-STD-NT3.7 Genomgående hål
- Infineon, IGBT, N Kanal, 82 A 1200 V, 4 Ben, PG-TO-247-4-STD-NT3.7 Genomgående hål